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rohm level 3 文章 最新資訊

ROHM推出UCR10C分流電阻系列，提升電流檢測密度

  • ROHM近日推出一款2012封裝尺寸（2.0mm × 1.2mm）的電流檢測元件——UCR10C系列，旨在滿足汽車和工業(yè)系統(tǒng)對更高功率處理能力與可靠性的日益增長需求。該系列產(chǎn)品采用燒結(jié)金屬結(jié)構(gòu)，在保持緊湊外形的同時(shí)顯著提升了額定功率。對于《eeNews Europe》的讀者而言，若您正在開發(fā)電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)、工業(yè)變頻器或大電流直流系統(tǒng)，那么在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高功率處理能力，有助于簡化PCB布局，并可能減少電路板面積。此外，其優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性也有望在惡劣環(huán)境中實(shí)現(xiàn)更精準(zhǔn)的電流監(jiān)測。2012封裝實(shí)現(xiàn)更高額
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ROHM推出輸出電流500mA的LDO穩(wěn)壓器，提升大電流應(yīng)用的設(shè)計(jì)靈活性

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，面向車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施等所用的12V/24V系統(tǒng)一級*1電源，開發(fā)出搭載ROHM自有超穩(wěn)定控制技術(shù)“Nano Cap?”、輸出電流500mA的LDO穩(wěn)壓器*2 IC“BD9xxN5系列”（共18款產(chǎn)品）。近年來，電子設(shè)備正朝著小型化、高密度化方向發(fā)展。為了進(jìn)一步節(jié)省空間并提高設(shè)計(jì)靈活性，電源電路亟需一種即使采用小容量電容器也可穩(wěn)定工作的電源IC。然而，用1μF以下的輸出電容實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定運(yùn)行在技術(shù)上還存在困難。針對這一課題，ROHM在20
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ROHM推出的BD1423xFVJ-C，BD1422xG-C：高精度電流檢測放大器

  • 一、產(chǎn)品簡介ROHM推出兩款符合AEC-Q100車規(guī)認(rèn)證的高精度電流檢測放大器：BD1423xFVJ-C（支持+80V/-14V，TSSOP-B8J封裝）適用于48V高壓系統(tǒng)如電動(dòng)壓縮機(jī)和DC-DC轉(zhuǎn)換器；BD1422xG-C（支持+40V/-14V，SSOP6封裝）面向12V/5V車身控制等空間受限應(yīng)用。二者均采用斬波+自穩(wěn)零兩級架構(gòu)，內(nèi)部集成精密匹配電阻，實(shí)現(xiàn)±1%增益精度，并在極端溫度下保持穩(wěn)定。即使外接RC濾波，精度不受影響，且具備負(fù)壓耐受能力，簡化抗干擾設(shè)計(jì)。器件已量產(chǎn)，提供評估板，可直接用于高
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ROHM車載40V/60V MOSFET產(chǎn)品陣容中新增高可靠性小型新封裝產(chǎn)品

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，適用于主驅(qū)逆變器控制電路、電動(dòng)泵、LED前照燈等應(yīng)用的車載低耐壓（40V/60V）MOSFET產(chǎn)品陣容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封裝產(chǎn)品。新封裝產(chǎn)品與車載低耐壓MOSFET中常見的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封裝產(chǎn)品相比，體積可以更小，通過采用鷗翼型引腳*1，還提高了其在電路板上安裝時(shí)的可靠性。另外，通過采用銅夾片鍵合*2技術(shù)，還能支持大電流。采用本封裝的產(chǎn)品已于2025年11月起陸續(xù)投入量產(chǎn)（樣品單價(jià)50
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貿(mào)澤開售ROHM Semiconductor ML63Q25x AI MCU

  • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售ROHM Semiconductor的ML63Q25x系列AI微控制器?(MCU)。這些先進(jìn)的MCU專為工業(yè)自動(dòng)化、儀器儀表、機(jī)器人、消費(fèi)電子和智能家居系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)、獨(dú)立于網(wǎng)絡(luò)的AI監(jiān)控和預(yù)測性維護(hù)。ML63Q25x系列可在設(shè)備故障發(fā)生前進(jìn)行設(shè)備異常檢測和學(xué)習(xí)，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)定性，同時(shí)降低維護(hù)成本和生產(chǎn)線停機(jī)時(shí)間。這些MCU利用ROHM專有的Soli
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ROHM開發(fā)出搭載VCSEL的高速高精度接近傳感器“RPR-0730”

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，開發(fā)出一款可檢測高速移動(dòng)物體的小型高精度接近傳感器“RPR-0730”，該產(chǎn)品廣泛適用于包括標(biāo)簽打印機(jī)和輸送裝置在內(nèi)的消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。隨著工業(yè)設(shè)備和辦公設(shè)備向更高性能、更多功能及更智能化方向發(fā)展，對感測技術(shù)的精度提升提出了更高要求，特別是標(biāo)簽打印機(jī)、樣本傳送裝置和復(fù)印機(jī)等應(yīng)用，除了通過優(yōu)化生產(chǎn)工藝等提升速度外，還需要具備能夠更精準(zhǔn)識別目標(biāo)物的技術(shù)，因此引入高速且高精度的接近傳感器變得至關(guān)重要。為應(yīng)對這些需求，ROHM推出采用VCSEL作為
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體積更小且支持大功率！ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS（儲(chǔ)能系統(tǒng)）以及要求扁平化設(shè)計(jì)的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的
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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度

  • ●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導(dǎo)體產(chǎn)品的客戶提供第二供應(yīng)商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應(yīng)產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設(shè)計(jì)與采購的靈活性●? ?此類產(chǎn)品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場景中的功率密度英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務(wù)執(zhí)行官伊野和英（右）全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以
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ROHM推出二合一SiC模塊“DOT-247”

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出二合一結(jié)構(gòu)的SiC模塊“DOT-247”，該產(chǎn)品非常適合光伏逆變器、UPS和半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用場景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和功率密度。目前，光伏逆變器雖以兩電平逆變器為主流產(chǎn)品，但為了滿足更高電壓需求，對三電平NPC、三電平T-NPC以及五電平ANPC等多電平電路的需求正在日益增長。這些電路的開關(guān)部分混合采用了半橋和共源等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，因此若使用以往的SiC模塊進(jìn)行適配，
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ROHM推出適用于Zone-ECU的高性能智能高邊開關(guān)！

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，針對汽車照明、汽車門鎖、電動(dòng)車窗等正逐步采用Zone-ECU*1的車身相關(guān)應(yīng)用，推出6款不同導(dǎo)通電阻值的高邊IPD*2（智能高邊開關(guān)）“BV1HBxxx系列”，非常適合用來保護(hù)系統(tǒng)免受功率輸入過大等問題的影響。全系列產(chǎn)品均符合AEC-Q100車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，滿足對車載產(chǎn)品嚴(yán)苛的可靠性要求。隨著自動(dòng)駕駛和電動(dòng)汽車（EV）的不斷發(fā)展，汽車的電子控制越來越復(fù)雜。與此同時(shí)，從功能安全角度來看，電子保護(hù)的重要性日益凸顯，以區(qū)域?yàn)閱挝粚ζ囘M(jìn)行管理的“Zone-E
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ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低電路電流的超小尺寸CMOS運(yùn)算放大器

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出工作時(shí)的電路電流可控制在業(yè)界超低水平的超小尺寸CMOS運(yùn)算放大器“TLR1901GXZ”。該產(chǎn)品非常適用于電池或充電電池驅(qū)動(dòng)的便攜式測量儀、可穿戴設(shè)備和室內(nèi)探測器等小型應(yīng)用中的測量放大器。近年來，隨著便攜式測量儀和可穿戴設(shè)備等由電池驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用對控制精度要求的不斷提高，用于量化溫度、濕度、振動(dòng)、壓力、流量等參數(shù)的傳感器以及用來放大傳感器信號的運(yùn)算放大器的重要性日益凸顯。另一方面，在致力于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會(huì)等大背景下，應(yīng)用產(chǎn)品的小型化和節(jié)能化已成
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ROHM推出“PFC+反激控制參考設(shè)計(jì)”，助力實(shí)現(xiàn)更小巧的電源設(shè)計(jì)！

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出新的參考設(shè)計(jì)“REF67004”，該設(shè)計(jì)可通過單個(gè)微控制器控制被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子電源和工業(yè)設(shè)備電源中的兩種轉(zhuǎn)換器——電流臨界模式PFC（Power Factor Correction）*1和準(zhǔn)諧振反激式*2轉(zhuǎn)換器。通過將ROHM的優(yōu)勢——由Si MOSFET等功率器件和柵極驅(qū)動(dòng)器IC組成的模擬控制Power Stage電路，與以低功耗LogiCoA?微控制器為核心的數(shù)字控制電源電路相結(jié)合，推出基于這種模擬和數(shù)字融合控制技術(shù)的“LogiCoA
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用于高側(cè)或低側(cè)測量的1%電流感應(yīng)放大器 IC

  • 它們與外部分流電阻器一起工作，有兩種基本類型：一種 （BD1423xFVJ-C） 可以在 -14 至 +80V 的共模范圍內(nèi)感應(yīng)，工作電壓范圍為 2.7 至 18V，另一種 （BD1422xG-C） 可以在 -14 至 +40V 范圍內(nèi)感應(yīng)，工作電壓范圍為 2.7 至 5.5V。在每種情況下，都可以選擇電壓增益：25、50 或 100V/V。以上情況是正確的，但有一個(gè)例外：最低增益 80V 類型的增益為 20（不是 25），并且只能為 5.5V 供電，而不是 18V – 下面的表格總結(jié)了這一細(xì)節(jié)。80V
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ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運(yùn)算時(shí)間較長等問題，亟待改進(jìn)。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型
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內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統(tǒng)采用

  • 全球先進(jìn)的太陽能發(fā)電及儲(chǔ)能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計(jì)的模塊化平臺，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導(dǎo)體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實(shí)
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rohm level 3介紹

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