日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術的最新器件，使用了自矯正的工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術實現了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業界最好的P溝道MOSFET
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Vishay MOSFET SiA433EDJ
通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數，因此可以并聯工作。當其中一個并聯的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數導通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內部也是有許多小晶胞并聯而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數，因此并聯工作沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發現，上述的理論只有在MOSFET進入穩態導通的狀態下才能成立，而在
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MOSFET RDS ON 溫度系數
日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業界最小的芯片級功率MOSFET。
在種類繁多的便攜式設備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關、電池開關和充電開關應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應用中的同步降壓轉換器提供更高的開關性能。
新系列的MOSFET利用安森美半導體獲市場驗證的溝槽技術，提供優異的導通阻抗[RDS(on)]及更高的開關性能，用于個人計算機(PC)、服務器、游戲機、處理器穩壓電源
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安森美 MOSFET 溝槽 同步降壓轉換器
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并更加深入理解MOSFET。
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MOSFET 開關損耗
1 引言
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不均 問題 探究 分配 電流 管并聯 應用 MOSFET
1. 引言
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MOSFET 射頻功率 功率放大器
隨綠色經濟的興起，節能降耗已成潮流。在現代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。
據統計，60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的，而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。
在這種情況下，性能遠優于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環境
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豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
針對電弧爐的非線性、大滯后、強耦合、時變及隨機干擾較強的特點，應用自適應控制理論，采用可編程邏輯控制器(PLC)為核心控制部件，實現電弧爐電極升降的自動準確控制，有效減少電極短路、斷弧和振蕩現象。在此給出控制方案、系統主要硬件及軟件流程圖。該系統已可靠運行于某煉鋼廠，并實現了降低電爐電耗，提高產品質量的目的。
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控制系統 大型 PLC S7-300 基于 轉換器
全球節能環保意識高漲使得高效、節能產品成為市場發展的主流趨勢。相應地，電源|穩壓器管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來越多的應用到整機電子產品中。在功率器件產品中，MOSFET的市場需求增長最快。據分析機構數據顯示，盡管受全球金融危機影響， 2008年，中國MOSFET市場需求量為198.2億個，仍比2007年增長了11.9%。
在應用方面，目前消費電子已成為MOSFET最大的應用市場，這主要得益于MOSFET在便攜式產品、LCD TV等消費電子產品中的廣泛應用。其次，是計算機、工業控制
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Fairchild MOSFET 穩壓器
引言歐盟部長理事會已經執行RoHS指令(在電子電氣設備中限制使用某些有毒有害物質指令)以及WEEE指...
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MOSFET 綠色 塑料封裝
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2016S 器件，適用于汽車柵極驅動應用，包括通用噴軌、柴油和汽油直噴應用，以及螺線管驅動器。
AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側驅動器，具有內部電壓尖峰對地 (Vs-to-GND) 充電 NMOS。這款器件的輸出驅動器配備一個250mA高脈沖電流緩沖級。相關溝道能夠在高側配置中驅動一個N溝道功率MOSFET，可在高于地電壓達150V的條
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IR MOSFET 驅動器 AUIRS2016S
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務器、刀片式服務器和路由器的設計人員帶來業界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開關或ORing FET，為服務器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續導通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
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Fairchild MOSFET FDMS7650
1 引言
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監控系統 設計 化學 發電廠 S7-200 基于
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業應用的設計人員帶來SupreMOS?新一代600V超級結MOSFET系列產品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS?系列器件兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷，相比飛兆半導體的600V SuperFET&trade
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Fairchild MOSFET SupreMOS SuperFET
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