sas 存儲(chǔ) 文章最新資訊

HBM：屬于大廠的游戲，而非全部存儲(chǔ)廠商的狂歡？

近期，存儲(chǔ)廠商南亞科總經(jīng)理李培瑛對(duì)外表示，HBM目前產(chǎn)品溢價(jià)較高，確實(shí)會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器廠商營(yíng)收有所貢獻(xiàn)，但其占全球DRAM位元數(shù)僅約2%。因此，以當(dāng)前南亞科在DRAM市場(chǎng)的市占率而言，現(xiàn)階段不適合公司投入大量資源爭(zhēng)奪HBM市場(chǎng)。存儲(chǔ)市場(chǎng)正掀起AI狂歡熱潮，HBM技術(shù)也從幕后走向臺(tái)前，并成為推動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的強(qiáng)勁動(dòng)能。不過(guò)，HBM技術(shù)含量高、在DRAM占比小，因此決定了該技術(shù)是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”，而非全部存儲(chǔ)廠商的“狂歡”。如今，存儲(chǔ)大廠的HBM戰(zhàn)局已然打響，并瞄準(zhǔn)了最新的HBM3E技術(shù)
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2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%：三星增長(zhǎng) 44.8% 居首位

IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢(xún)近日發(fā)布市場(chǎng)研究報(bào)告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲，預(yù)估環(huán)比會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)兩成。三星第四季營(yíng)收以三星（Samsung）增長(zhǎng)幅度最高，主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機(jī)需求均大幅增長(zhǎng)。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%，平均銷(xiāo)售價(jià)格環(huán)比增加 12%，帶動(dòng)營(yíng)收上升至 42 億美元，環(huán)比增加 44.8%。SK 集團(tuán)SK 集團(tuán)（SK Group）受惠于價(jià)
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戴爾2024財(cái)年?duì)I收884億美元，AI服務(wù)器訂單激增40%

戴爾公布了2024財(cái)年第四財(cái)季及全年業(yè)績(jī)報(bào)告，第四財(cái)季營(yíng)收為223億美元，全年?duì)I收為884億美元。并且透露在AI服務(wù)器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了顯著增長(zhǎng)，計(jì)劃在5月的戴爾科技世界大會(huì)上推出一系列新的AI產(chǎn)品和解決方案。在AI服務(wù)器領(lǐng)域，戴爾表示經(jīng)過(guò)AI優(yōu)化的產(chǎn)品訂單環(huán)比增長(zhǎng)了40%，實(shí)現(xiàn)8億美元的銷(xiāo)售額，積壓訂單翻倍至29億美元。盡管供應(yīng)仍面臨挑戰(zhàn)，但H100交付周期有所改善，客戶(hù)對(duì)H200和MI300X產(chǎn)品表現(xiàn)出濃厚興趣。傳統(tǒng)服務(wù)器業(yè)務(wù)方面，報(bào)告稱(chēng)Q4業(yè)務(wù)同比增長(zhǎng)，連續(xù)三個(gè)季度實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)，結(jié)束了歷史上最長(zhǎng)的消化期。戴
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又一存儲(chǔ)大廠DRAM考慮采用MUF技術(shù)

韓國(guó)媒體 TheElec報(bào)道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測(cè)試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲(chǔ)器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導(dǎo)體上打上數(shù)千個(gè)微小的孔，然后將上下層半導(dǎo)體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導(dǎo)體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個(gè)半導(dǎo)體牢固地固定并連接起來(lái)。而經(jīng)過(guò)測(cè)試后獲得的結(jié)論，MUF 不適用于高頻寬存儲(chǔ)器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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美光開(kāi)始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案，加速人工智能發(fā)展

全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已開(kāi)始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存，并于 2024 年第二季度開(kāi)始出貨。美光通過(guò)這一里程碑式進(jìn)展持續(xù)保持行業(yè)領(lǐng)先地位，并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能（AI）解決方案賦能。HBM3E：推動(dòng)人工智能革命隨著人工智能需求的持續(xù)激增，內(nèi)存解決方案對(duì)于滿(mǎn)足工作負(fù)載需求
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春日有禮，西部數(shù)據(jù)和“她”一起開(kāi)啟存儲(chǔ)煥新計(jì)劃

每一個(gè)女孩都是獨(dú)特而美麗的存在，享受生活的同時(shí)不忘記錄那些難忘的瞬間。3.8春季大促，西部數(shù)據(jù)帶來(lái)了令人怦然心動(dòng)的存儲(chǔ)購(gòu)物清單，助力每一位“她”記錄生活亮點(diǎn)，高效應(yīng)對(duì)職場(chǎng)與學(xué)習(xí)。還不快拿上小本本，選擇適合自己的存儲(chǔ)好物！廣闊世界“她”記錄自媒體盛行的時(shí)代下，女性憑借在內(nèi)容創(chuàng)作領(lǐng)域獨(dú)特的天賦與細(xì)膩，盡情展現(xiàn)著自由且多元的力量。西部數(shù)據(jù)的WD Blue? SN580 NVMe? SSD順序讀取速度高達(dá)4,150 MB/s[i] （1TB和2TB型號(hào)[ii]），提供高達(dá)2TBii容量規(guī)格，同時(shí)搭載的nCache
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美光科技宣布已開(kāi)始提供升級(jí)版UFS4.0樣品

2月28日，存儲(chǔ)大廠美光科技宣布已開(kāi)始提供升級(jí)版UFS4.0樣品，采用232層3D NAND技術(shù)，可提供256GB、512GB和1TB三種容量。自去年6月推出11mm x 13mm封裝規(guī)格的UFS4.0解決方案后，美光進(jìn)一步縮小UFS4.0的外形規(guī)格以實(shí)現(xiàn)更緊湊的9mm x 13mm托管型NAND封裝。性能上，美光UFS4.0的順序讀取速度和順序?qū)懭胨俣确謩e高達(dá)4300MBps和4000MBps，較前代產(chǎn)品相比性能提升一倍，據(jù)悉，生成式AI應(yīng)用中的大語(yǔ)言模型加載速度可提高40%。此次增強(qiáng)版UFS4.0基于
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美光高性能內(nèi)存和存儲(chǔ)助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機(jī)提升邊緣 AI 體驗(yàn)

2024 年 3 月 1 日，中國(guó)上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動(dòng)閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機(jī)榮耀 Magic6 Pro 提供端側(cè)人工智能體驗(yàn)。該手機(jī)支持 70 億參數(shù)的大語(yǔ)言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），開(kāi)創(chuàng)了端側(cè)生成式人工智能新時(shí)代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語(yǔ)言模型為核心，在美光內(nèi)存和存儲(chǔ)的加持下，實(shí)現(xiàn)了升級(jí)版預(yù)測(cè)性和
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美光發(fā)布最小尺寸 UFS 4.0 手機(jī)存儲(chǔ)芯片：容量最高 1TB，為電池留出空間

IT之家 2 月 27 日消息，美光科技在 MWC 2024 上宣布了其最新手機(jī)存儲(chǔ)解決方案。該公司推出了迄今為止最緊湊的 UFS 4.0 封裝，尺寸僅為 9 x 13 毫米，仍然提供最高 1 TB 的容量和 4300 MB/s 順序讀取速度、4000 MB/s 順序?qū)懭胨俣取Ｃ拦獗硎荆瞥鲚^小解決方案的主要原因是智能手機(jī)原始設(shè)備制造商的反饋。制造商們希望為更大的電池留出更多手機(jī)內(nèi)部空間。美光在其位于美國(guó)、中國(guó)和韓國(guó)的聯(lián)合客戶(hù)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)了該產(chǎn)品，并基于其 232 層
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兩家存儲(chǔ)大廠：今年HBM售罄

近期，SK海力士副社長(zhǎng)Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開(kāi)始為2025年做準(zhǔn)備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對(duì)外透露，美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計(jì)已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展，推動(dòng)了云端高性能AI芯片對(duì)于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，存儲(chǔ)大廠積極瞄準(zhǔn)HBM擴(kuò)產(chǎn)。其中，三星電子從2023年四季度開(kāi)始擴(kuò)大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶(hù)提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計(jì)劃在今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。到下半年，其占比預(yù)計(jì)將
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江波龍車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ)解決方案

江波龍電子在設(shè)計(jì)、資源、測(cè)試、驗(yàn)證全方位布局以保證汽車(chē)存儲(chǔ)產(chǎn)品在高低溫變化、復(fù)雜電磁環(huán)境、物理沖擊、振動(dòng)等嚴(yán)苛環(huán)境下始終可靠穩(wěn)定運(yùn)行。SPI NAND Flash該存儲(chǔ)采用WSON8封裝，可節(jié)約PCB空間，除此之外，其優(yōu)勢(shì)還有支持通用SPI接口，包括雙I/O或四I/O，帶有內(nèi)部ECC，使其在滿(mǎn)足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時(shí)，保證數(shù)據(jù)可靠性，并支持OTP，為客戶(hù)提供更多存儲(chǔ)安全信息的區(qū)域。該產(chǎn)品閃存介質(zhì)為SLC NAND，容量從512MB到4GB，工作溫度最大范圍為-40~85℃。該產(chǎn)品的應(yīng)用范圍較廣，可在Wifi
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開(kāi)局

從目前公開(kāi)的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫(xiě)入或讀取，電容器則用于存儲(chǔ)位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線寬來(lái)提高集成度
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江波龍企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)正式量產(chǎn)一周年，交出亮眼“成績(jī)單”

自2023年1月江波龍首次發(fā)布企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品FORESEE ORCA 4836系列NVMe SSD與FORESEE UNCIA 3836系列SATA 3.2 SSD以來(lái)，企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品于過(guò)去的一年中，在技術(shù)研發(fā)和市場(chǎng)應(yīng)用中取得了顯著成果。拓疆企業(yè)級(jí)存儲(chǔ) 屢獲市場(chǎng)認(rèn)可江波龍企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和性能表現(xiàn)，為企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)注入新鮮活力。截至2024年2月，F(xiàn)ORESEE ORCA 4836系列NVMe SSD與FORESEE UNCIA 3836系列SATA 3.2 SSD兩大產(chǎn)品已順利完成鯤鵬
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首顆自研2D MLC NAND Flash！江波龍構(gòu)建完整的存儲(chǔ)芯片垂直整合能力

江波龍研發(fā)布局突破藩籬進(jìn)入到集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得客戶(hù)高度認(rèn)可。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)后，首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日問(wèn)世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問(wèn)帶寬可達(dá)400MB/s，將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上，為公司存儲(chǔ)產(chǎn)品組合帶來(lái)更多可能性。隨著自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龍將在半導(dǎo)體存儲(chǔ)品牌企業(yè)的定位和布局上持續(xù)深耕，不斷提升核心競(jìng)爭(zhēng)力。越
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1年利潤(rùn)暴跌84.9%！三星樂(lè)觀今年業(yè)績(jī)回暖：存儲(chǔ)漲價(jià)是開(kāi)始

2月1日消息，存儲(chǔ)一哥三星2023年的日子不太好過(guò)，全年利潤(rùn)暴跌84.9%，確實(shí)沒(méi)辦法，不過(guò)他們保持樂(lè)觀態(tài)度。2023年IT市場(chǎng)整體低迷，尤其是存儲(chǔ)芯片價(jià)格暴跌的背景下，三星全年?duì)I收為258.94萬(wàn)億韓元，同比減少14.3%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.57萬(wàn)億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說(shuō)法，2024年上半年業(yè)績(jī)會(huì)回暖，其中以存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格回暖最為明顯，相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價(jià)不會(huì)停止，只會(huì)更猛烈。NAND芯片價(jià)格止跌回升后，目前報(bào)價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達(dá)到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國(guó)內(nèi)重量級(jí)NAN
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