日前，德州儀器 (TI) 宣布推出支持小于100uA、業界最低靜態電流的700V轉換開關，其功耗是現有解決方案的一半，這進一步壯大了 TI 面向離線AC/DC設計的高電壓電源解決方案陣營。該UCC28880控制器高度集成700V 功率 MOSFET和高電壓電流電源，可幫助輸出電流高達100mA的常通電非隔離式電源系統提升整體能源效率，且充分滿足智能電表、家庭自動化設備以及大型家用電器等應用需求。如欲了解更多詳情，敬請訪問：www.ti.com.cn/ucc28880-pr-cn。
TI高電壓電源
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德州儀器 AC/DC MOSFET
如何為開關電源電路選擇合適的元器件和參數?
很多未使用過開關電源設計的工程師會對它產生一定的畏懼心理，比如擔心開關電源的干擾問題、PCB layout問題、元器件的參數和類型選擇問題等。其實只要了解了，使用開關電源設計還是非常方便的。
一個開關電源一般包含有開關電源控制器和輸出兩部分，有些控制器會將MOSFET集成到芯片中去，這樣使用就更簡單了，也簡化了PCB設計，但是設計的靈活性就減少了一些。
開關控制器基本上就是一個閉環的反饋控制系統，所以一般都會有一個反饋輸出電壓的采樣電路以及
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開關電源 PCB MOSFET
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超低靜態電流 (IQ) Hot SwapTM (熱插拔) 控制器LTC4231，該器件允許電路板或電池安全地從 2.7V 至 36V 系統中插入和拔出。LTC4231 控制一個外部 N 溝道 MOSFET，以平緩地給電路板電容器加電，從而避免瞬態放電、連接器損壞和系統干擾。器件在正常工作時靜態電流僅為 4µA，在停機模式則降至 0.3µA。為確保低電流工作，欠壓和過壓阻性分壓器連接至一個選通接地，
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凌力爾特 MOSFET LTC4231
摘要：本文介紹了常見的幾種在汽車車身上的電機應用，包括直流有刷電機控制，有霍爾/無霍爾直流無刷電機控制和永磁同步電機控制，不論是哪一種電機控制方案，英飛凌公司推出的基于ARM內核的Embedded Power IC都是最理想的選擇。
引言
隨著電機在汽車上的廣泛應用，如何降低能耗，減少噪音，成了工程師們面臨的新難題，傳統的電動油泵、電動水泵和散熱風扇由繼電器控制直流電機的開通或者關斷，不能進行調速，在怠速狀況時電機仍然高速運轉，如果采用脈寬調制控制的直流電機或者三相電機，則可以在不同的工況
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英飛凌 ARM 電機控制 MOSFET 微控制器 201409
矢野經濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調查結果。
全球功率半導體市場規模的推移變化和預測(出處：矢野經濟研究所)
2013年全球功率半導體市場規模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。
預計2014年仍將繼續增長，2015年以后白色家電、汽車及工業設備領域的需求有望擴大。矢野經濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場規
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SiC 功率半導體
啟動一個硬件開發項目，原始的推動力會來自于很多方面，比如市場的需要，基于整個系統架構的需要，應用軟件部門的功能實現需要，提高系統某方面能力的需要等等，所以作為一個硬件系統的設計者，要主動的去了解各個方面的需求，并且綜合起來，提出最合適的硬件解決方案。比如A項目的原始推動力來自于公司內部的一個高層軟件小組，他們在實際當中發現原有的處理器板IP轉發能力不能滿足要求，從而對于系統的配置和使用都會造成很大的不便，所以他們提出了對新硬件的需求。根據這個目標，硬件方案中就針對性的選用了兩個高性能網絡處理器，然后還
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硬件設計 Linear MOSFET
封裝的創新非常重要，尤其是在設計適用于支持更大電流的新一代便攜式設計所需的超薄的MOSFET時更顯得不可或缺。
計算機、工業及電信領域的電源應用設計人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路，以提升電源效率，但其難點是如何設計出盡可能小的外形尺寸。現在，設計人員可通過與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結合，同時實現高效率、低導通電阻以及業界最小尺寸的效果。
最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產品變得更密集，同時還可
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MOSFET 封裝 NexFET
三菱電機開發出了支持50kHz左右高頻開關動作的工業設備用混合SiC功率半導體模塊，并在7月23～25日舉辦的“日本尖端技術展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)，從2014年5月開始樣品供貨。
據介紹，新產品可用于光伏發電用逆變器等多種工業設備，尤其適合經常采用高開關頻率的醫療設備用電源。新產品有6種，耐壓均為1200V，額定電流為100A～600A不等。通過采
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SiC 醫療設備
氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續為電源轉換應用設定業界領先的性能基準。由于氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉換器可實現超過98%的效率。
宜普電源轉換公司宣布推出六個新一代功率晶體管及相關的開發板。這些由30 V至200 V的產品在很多應用可大大降低導通電阻(RDS(on))并可增強輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉換器、負載點(POL)轉換器、直流-直流及交流-直流轉換器的同步整流器、馬達驅動器、發光二極管照明及工業自動化等廣
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宜普 EPC MOSFET
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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DC/DC轉換器 寬電流 MOSFET 集成型穩壓器
東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。 SBD適合各種應用，包括光伏發電系統用的服務器電源和功率調節器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)。 SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
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東芝 SBD SiC
全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應用，包括泵電機控制和車身控制等。 使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術的全新器件系列的首款產品，具有3.3 mΩ超低導通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進行焊接，從而
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IR MOSFET COOLiRFET
美國阿肯色大學研究人員已經設計出可在溫度高于350°C (大約660°F)時工作的集成電路。該研究由美國國家科學基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設備、汽車和航空航天設備領域的處理器、驅動器、控制器和其他模擬與數字電路的功能，因為所有這些應用場合的電子設備都必須在高溫甚至經常在極限溫度下運行。
阿肯色大學電子工程學院特聘教授Alan Mantooth說，“堅固性允許這些電路被放置在標準硅基電路部件無法工作的地方。我們設計了性能優越的信號處理電路模
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SiC 集成電路
東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。 SBD適合各種應用，包括光伏發電系統用的服務器電源和功率調節器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)。 SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
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東芝 SBD SiC
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