- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業也圍繞這些元件展開了激烈的開發競爭。
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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SiC GaN
- 現各大公司的MOSFET驅動器層出不窮，主要是針對小功率使用，使用有很多限制。在工業應用上，大批還是用傳統的驅動...
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MOSFET 驅動結構
- 移動電話滲透率在已開發市場達到了很高比例，而在世界上其他地區也不斷提高。根據GSMA的信息，先進的歐洲國家的移動用戶滲透率已經超過90%。開發中市場的平均滲透比例將由2012年的39%增加至2017年的47%，而且是未來5年內刺激全球移動市場增長的最大因素。
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安森美 MOSFET 電阻 移動設備 LED
- 對于MOSFET，工作時候與變壓器原邊串聯，由于變壓器漏感和MOSFET較大的開通電容的影響，使得其關斷時候會承受一個...
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MOSFET 變壓器
- 為了限制油耗，一些汽車制造商在其新一代車型中應用了“啟動/停止”(Start/Stop)功能。當汽車停下來時，這些創新的新系統關閉發動機;而當駕駛人的腳從剎車踏板移向油門踏板時，就自動重新啟動發動機。這就幫助降低市區駕車及停停走走式的交通繁忙期時的油耗。
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MOSFET 二極管 PCB 穩壓器 P-FET
- 電荷泵的基本原理是，電容的充電和放電采用不同的連接方式，如并聯充電、串聯放電，串聯充電、并聯放電等，實現升壓、降壓、負壓等電壓轉換功能。
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電荷泵 Cboot MOSFET 電路
- 2013 年 12 月12 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出通過AEC-Q101認證的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。
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Vishay MOSFET
- 全球領先的整合單片機、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布推出一款新型帶電源模塊的三相BLDC電機柵極驅動器MCP8024。該器件能夠為dsPIC?數字信號控制器(DSC)和PIC?單片機(MCU)供電，同時驅動六個N溝道MOSFET。
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Microchip 電機系統 MCP8024 MOSFET
- 2013年12月4日，英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼：IFNNY)宣布，在今年的電氣自動化系統及元器件(SPS IPC Drives)貿易展上，英飛凌科技股份有限公司推出針對絕緣電壓高達1200伏的應用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅動器。
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英飛凌 驅動器 IGBT MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET 導通電阻
- 最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產出一款可實現更高功率密度、更低系統成本且設計更簡易的...
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光伏逆變器 SiC BJT
- 摘要：傳統高功率LED驅動電源大多采用直流并聯LED的方式工作，成本低，容易實現，但目前高亮度LED消耗的電流可達350mA甚至更高，因此傳統方法的損耗極大，效率低;本文提出了一種串聯輸入多并聯驅動電源的實現方法，具有高性價比，輸出電流大，失真度低，且具有優異的串電流調節功能等優點。
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LED 照明驅動 DC/DC SIMPLE MOSFET 201312
- 2013年11月22日，日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，在第十五屆中國國際高新技術成果交易會(簡稱高交會)電子展上圍繞“智慧與科技的雙贏，盡在東芝智能社區”這一主題，重點展示了面向移動終端、家用電器、汽車電子、工業電子以及存儲等五大應用領域的創新技術與解決方案。
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東芝 存儲卡 MOSFET
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