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sic mosfet 文章 最新資訊

理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

  • 本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
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羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。
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恩智浦推出首款2mmx2mm超薄封裝MOSFET

  • 恩智浦半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼：NXPI)日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。
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英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

  • 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC(碳化硅)產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地位。這個(gè)革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)。
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IR推出車用功率MOSFET

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅(jiān)固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機(jī)、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應(yīng)用。
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案

  • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析

  • 開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能
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MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設(shè)計(jì)

  • 目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用
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中國新一代汽車電子的兩大設(shè)計(jì)趨勢

  • 如今的汽車市場正受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的沖擊，與此同時(shí)，提高安全性能和綠色環(huán)保這兩大趨勢也驅(qū)動(dòng)著新一代汽車的發(fā)展，并...
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超過20kV：半導(dǎo)體元件的世界最高耐壓

  • 　　日本京都大學(xué)工學(xué)研究系電子工學(xué)專業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達(dá)21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十?dāng)?shù)kV的半導(dǎo)體功率元件，但超過20kV的尚為首次，“是半導(dǎo)體元件中的世界最高值”(木本)。 　　該二極管的設(shè)想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網(wǎng)電壓為6.6kV，因此要求耐壓達(dá)到20kV。據(jù)稱目前是使用3～4個(gè)數(shù)kV的GTO來確保耐壓的。如果使用耐壓超過20kV的SiC制PiN二極管，一個(gè)即可滿足要求。由此，轉(zhuǎn)換器及冷卻器等便可實(shí)現(xiàn)
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恩智浦推出新型汽車級(jí)TrenchMOS器件

  • 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (納斯達(dá)克：NXPI)日前宣布推出全新汽車級(jí)功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻(RDSon)、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級(jí)MOSFET已取得AEC-Q101認(rèn)證，成功通過了175?C高溫下超過1,600小時(shí)的延長壽命測試(性能遠(yuǎn)超Q101標(biāo)準(zhǔn)要求)，同時(shí)具有極低PPM 水平。
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

  • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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典型功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案

  • 功率場效應(yīng)晶體管（PowerMOSFET）是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能好、...
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精確測量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻

  • 電阻值的測量通常比較簡單。但是，對(duì)于非常小阻值的測量，我們必須謹(jǐn)慎對(duì)待我們所做的假定。對(duì)于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的。可以使用類似的方法來測量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

  • 摘要：率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配
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