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ultra c sic 文章 最新資訊

英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅(qū)動IC，加速SiC方案設(shè)計

  • 英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統(tǒng)基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據(jù)官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED301xMC12I 系列器件在引腳上與現(xiàn)有的光耦仿真器和光耦合器兼容。對于《eeNews Europe》的讀者——尤其是從事工業(yè)與能源系統(tǒng)設(shè)計的工程師而言，這一產(chǎn)品意義重大：它提供了一條無需徹底重新設(shè)計控制板即可快速升級至更高效率SiC方案的路徑。同時，這也凸顯了當(dāng)前柵極驅(qū)動器性能正不斷演
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iQOO 15 Ultra搭載第五代驍龍8至尊版打造性能Ultra

  • 2月4日，iQOO面向追求極致體驗的硬核玩家正式發(fā)布全新電競旗艦iQOO 15 Ultra。作為行業(yè)首款以性能Ultra為核心定位的高端旗艦，iQOO 15 Ultra搭載第五代驍龍8至尊版移動平臺，深度融合驍龍芯片技術(shù)與iQOO在電競領(lǐng)域的深厚積累，在幀率、畫質(zhì)、影像與連接等維度全面進(jìn)階，致力于為硬核玩家提供更沉浸、更可靠的體驗。iQOO 15 Ultra以第五代驍龍8至尊版為性能核心。該平臺集成的第三代Qualcomm Oryon CPU與全新高通Adreno GPU，帶來顯著的性能與能效提升。CPU
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SiC為電動汽車的高壓逆變器功率模塊

  • 汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產(chǎn)工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應(yīng)晶體管裸片，是雙方戰(zhàn)略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能是通過邏輯信號控制驅(qū)動電機，并生成驅(qū)動電機運轉(zhuǎn)所需的高頻電流。牽引逆變器作為電動汽車高壓電池與驅(qū)動電機之間的橋梁，核心作用是將電池輸出的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，進(jìn)而精準(zhǔn)調(diào)控電機的轉(zhuǎn)速、扭矩等關(guān)鍵運行參數(shù)。目前，市面上的電動汽車大多搭載 400V 電壓平臺的電池包。為實現(xiàn)更快的充電速度與更高的系
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英特爾即將推出的Core Ultra 9移動CPU在新基準(zhǔn)測試中表現(xiàn)優(yōu)于大多數(shù)桌面處理器——Core Ultra 9 290HX Plus在單線程性能上幾乎與旗艦Core Ultra 9 285K相當(dāng)

  • Core Ultra 9 290HX Plus實力強勁。雖然Panther Lake是英特爾CES 2026展會的焦點，但公司也將很快為臺式機和筆記本更新其現(xiàn)世代Arrow Lake系列。我們已經(jīng)在幾次泄露中見過這些“Plus”處理器，包括Geekbench的列表，但PassMark首次發(fā)現(xiàn)了一款移動SKU：Core Ultra 9 290HX Plus，接替了即將發(fā)布的Core Ultra 9 285HX。Arrow Lake 刷新版在單核測試中得分為 5,009 分，是網(wǎng)站上所有 x86 CPU 中最
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功率電路進(jìn)階教程：SiC JFET 如何實現(xiàn)熱插拔控制

  • 本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護(hù)系統(tǒng)取得重大進(jìn)步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過
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功率電路進(jìn)階教程：固態(tài)斷路器采用SiC JFET的四個理由

  • 本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護(hù)系統(tǒng)取得重大進(jìn)步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過浪涌電流、應(yīng)對不斷攀升的電力需求、為什么要使用固態(tài)斷路器。本文為系列教程的第二部分，將介紹SSCB 采用 SiC JFET 的四個理由。斷路器制造商首要關(guān)注的是發(fā)熱問題。 所有半導(dǎo)體在電流流過其中時都會產(chǎn)生熱量。 這種熱量可以用導(dǎo)通電阻來衡量， 其表示符號為 RDS(on) 。當(dāng)然，
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聚焦固態(tài)斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀

  • 輸配電系統(tǒng)與各類靈敏用電設(shè)備的安全運行，離不開對長時間過載與瞬態(tài)短路故障的妥善防護(hù)。這些風(fēng)險若未及時管控，輕則導(dǎo)致設(shè)備損壞，重則引發(fā)系統(tǒng)癱瘓。隨著電力系統(tǒng)電壓等級持續(xù)提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現(xiàn)的最大故障電流已達(dá)到前所未有的水平，對保護(hù)裝置的響應(yīng)速度與耐受能力提出了更嚴(yán)苛的要求，超快速交流/直流斷路器由此成為關(guān)鍵需求。在過去很長一段時間里，機械斷路器（EMB）始終是這類保護(hù)場景的主流選擇。但隨著用電場景對可靠性、響應(yīng)速度的要求不斷升級，傳統(tǒng)機械斷路器的局限性逐漸凸顯，而固態(tài)斷路器（SSCB
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Melexis硅基RC緩沖器獲利普思選用，攜手開啟汽車與工業(yè)能源管理技術(shù)新征程

  • 全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創(chuàng)新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進(jìn)的功率半導(dǎo)體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標(biāo)志著雙方在技術(shù)創(chuàng)新與系統(tǒng)優(yōu)化上的深度融合，共同致力于推動汽車與工業(yè)能源管理領(lǐng)域的發(fā)展。利普思的功率模塊憑借卓越的性能和可靠性，廣泛應(yīng)用于電動汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源系統(tǒng)及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換等高要求場景。隨著市場對高效率、功率密度及可靠性需求的不斷提升，利普思正積極探索能在更高開關(guān)頻率與電壓下穩(wěn)定運行的碳化硅（SiC）功率器件。
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三星與英特爾共同開發(fā)了適用于Panther Lake OLED筆記本的“SmartPower HDR”，可實現(xiàn)高達(dá)22%的省電——動態(tài)電壓控制降低功耗而不犧牲面板亮度

  • 三星顯示和英特爾共同開發(fā)了一項名為“SmartPower HDR”的新OLED筆記本技術(shù)，顧名思義。與傳統(tǒng)支持HDR的顯示器不同，傳統(tǒng)顯示面板保持固定高電壓以應(yīng)對亮度峰值，SmartPower HDR會動態(tài)調(diào)整面板功率，從而降低多達(dá)22%的電池消耗。SPHDR會分析每幀的峰值亮度，確保電壓保持盡可能低，直到內(nèi)容需要突然爆發(fā)亮度——只有在這時，顯示才會提升以提供所需的功率。即使在峰值亮度場景下，與普通HDR模式相比，SPHDR的功耗也應(yīng)略低，而不會影響實際亮度。這就是英特爾的部分：這項技術(shù)由全新的Core
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英特爾18A來了！第三代酷睿Ultra發(fā)布：性能暴漲，筆電續(xù)航以天計算

  • 1月6日消息，英特爾周一在拉斯維加斯CES展會上正式發(fā)布了代號為“Panther Lake”的第三代酷睿Ultra處理器（Intel Core Ultra Series 3）。作為首款基于英特爾最先進(jìn)Intel 18A制程節(jié)點打造的計算平臺，此舉旨在向投資者釋放積極信號。在活動現(xiàn)場，英特爾首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan）高調(diào)表示，公司已履行承諾，于2025年交付采用18A工藝的首批產(chǎn)品。與上一代主要由臺積電代工的Lunar Lake芯片不同，此次發(fā)布對英特爾而言至關(guān)重要：Panther Lake是
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SiC市場發(fā)展周期修正

  • Power SiC市場持續(xù)轉(zhuǎn)型。繼2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，Yole Group表示，行業(yè)現(xiàn)正進(jìn)入調(diào)整周期。汽車市場放緩導(dǎo)致硅碳需求下降，硅碳供應(yīng)鏈發(fā)生了轉(zhuǎn)變。 利用率下降、產(chǎn)能過剩和投資減少的循環(huán)引發(fā)了行業(yè)參與者的擔(dān)憂。盡管放緩，SiC仍是電氣化路線圖的核心，預(yù)計到2030年設(shè)備收入將接近100億美元。行業(yè)首個重大投資周期由2019-2024年資本支出熱潮推動，造成了顯著的上游產(chǎn)能過剩。設(shè)備資本支出在2023年達(dá)到約30億美元的峰值，導(dǎo)致上游硅碳價值鏈出現(xiàn)顯著產(chǎn)能過剩。20
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英特爾即將推出的Core Ultra X9 388H在1T性能上比Ryzen AI Max+ 395快8.7%——Panther Lake在早期Geekbench泄露中顯著提升了Strix Halo

  • 英特爾在發(fā)布首款18A處理器時并未詳細(xì)討論Panther Lake的性能，但該系列中可能的旗艦SKU——Core Ultra X9 388H——剛剛在Geekbench上亮相，評分相當(dāng)出色。它們不僅超越了英特爾的舊芯片，還能與AMD的頂級Strix Halo產(chǎn)品匹敵。Core Ultra X9 388H在單核測試中獲得3,057分，多核測試中獲得17,687分，這兩個數(shù)字都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了Arrow Lake-H Core Ultra 9 285H，同時也與更強悍的Core Ultra 9 275HX相當(dāng)。這些
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硅質(zhì)原材料價格上漲，而6英寸基材則引發(fā)價格戰(zhàn)

  • 截至2025年11月，碳化硅（SiC）市場正處于價值重新評估和結(jié)構(gòu)分歧的關(guān)鍵階段。在價格方面，低端散裝硅碳材料因成本失控而價格上漲，而主流6英寸硅碳基材在供應(yīng)過剩下持續(xù)暴跌。然而，在應(yīng)用方面，SiC卓越的導(dǎo)熱率使其成為英偉達(dá)Rubin平臺和臺積電先進(jìn)封裝中AI芯片散熱的戰(zhàn)略材料，預(yù)示著由高性能計算應(yīng)用驅(qū)動的高價值增長第二波浪潮。硅基價格趨勢：原材料上漲壓力，高端基材價格大幅降幅SiC市場在定價動態(tài)上展現(xiàn)出明顯的差異。一方面，散裝SiC材料的價格——如黑色和綠色SiC粉末及顆粒——一直在上漲。根據(jù)包括CIP
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Tachyum推出2nm Prodigy，其AI機架性能比Nvidia Rubin Ultra 高 21 倍

  • ?Tachyum? 今天公布了其 2nm Prodigy? 通用處理器的詳細(xì)信息和規(guī)格，該處理器將使 AI 模型的參數(shù)比任何現(xiàn)有解決方案的參數(shù)大許多數(shù)量級，而成本僅為其一小部分。Prodigy Ultimate 提供的 AI 機架性能比 Nvidia Rubin Ultra NVL576 高出 21.3 倍。Prodigy Premium 提供的 AI 機架性能比 Vera Rubin 25.8 高出 144 倍。2nm Prodigy 是有史以來第一個推理超過 1,000 PFLOP 的芯片，
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三星Galaxy S26 Ultra 型號可能會堅持使用高通

  • 三星正在推進(jìn) Exynos 的回歸，旨在減少對高通芯片的依賴。據(jù) Chosun Biz 援引消息人士的話說，三星電子計劃在基本型號和 Plus 型號中使用 Exynos 2600，而 Ultra 型號將繼續(xù)采用高通的移動應(yīng)用處理器 （AP）。正如報告所強調(diào)的那樣，三星電子將于 2026 年 2 月推出 Galaxy S26。盡管此前有傳言稱將于 3 月發(fā)布，但該公司的協(xié)調(diào)努力已經(jīng)提前了發(fā)布時間表。報道援引消息人士的話稱，三星預(yù)計將于 2026 年 1 月下旬舉辦 Galaxy S26
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