隨著硅與化合物半導體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術的可持續發展......
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寬禁帶 半導體 SiC GaN
日前，通用汽車全球產品開發、采購和供應鏈執行副總裁Doug Parks表示，該公司正在開發新一代半自動駕駛系統，內部代號為Ultra Cruise（超巡航）。
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通用 Ultra Cruise 半自動駕駛系統
近期，多家公司發布了碳化硅（SiC）方面的新產品。作為新興的第三代半導體材料之一，碳化硅具備哪些優勢，現在的發展程度如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET，值此機會，電子產品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業部大中華區開關電源應用高級市場經理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業部,大中華區,開關電源應用,高級市場經理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系碳化硅MOSFET是一種新器件，它的出現使一些以前硅材料很難被應用的電源轉換結構，例如電流連續
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SiC UPS
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應用于中國汽車行業一級綜合性供應商——聯合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
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OBC SiC MOSFET
近日，推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實現的。安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性。快速本征二
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SiC WBG
拆解機構TechInsights拆解了一部三星S20 Ultra韓版并給出了這部手機的物料成本分析。從圖表中可以看出，三星Galaxy S20 Ultra的總物料成本為528.50美元，值得注意的是S20 Ultra所采用的后攝模組成本最高，達到了107.50美元，此外驍龍865處理器芯片價值81美元，屏幕價值67美元，存儲元件價值44美元。獲悉，整部三星Galaxy S20 Ultra中成本最高的相機元件由108MP主攝+48MP長焦+12MP超廣角+TOF四攝組成，其中包括一顆潛望式鏡頭，支持10X潛
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相機 Galax S20 Ultra
各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布，將繼續致力于應對汽車和工業市場的挑戰，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案，即整合了內置柵極驅動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現更高效、更簡潔電機驅動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產品上市時間。該可擴展
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SiC IPM
顧偉俊? （羅姆半導體（上海）有限公司?技術中心?現場應用工程師）摘? 要：介紹了電機的應用趨勢，以及MCU、功率器件的產品動向。 關鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應用趨勢?隨著智能家居、工業自動化、物流自動化等概念的 普及深化，在與每個人息息相關的家電領域、車載領 域以及工業領域，各類電機在技術方面都出現了新的 需求。?在家電領域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規劃路線，然后執 行移動以及相應
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202003 電機 BLDC MCU SiC IPM
電力電子器件的發展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現，因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經有越來越多的半導體企業開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
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碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車
近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出650V器件。其全新發布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業SMPS、太陽能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“隨著新產品的發布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業部高壓轉換業務高級總監St
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SiC MOSFET
在本文中，我們將調查電動車牽引逆變器采用 SiC 技術的優勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負荷到滿負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關頻率，以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機內的鐵損。預計在所有這些因素的影響下，純電動車的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時，降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明，純電動車?(BEV) 的數量增加得比之前的預期要快。這促使汽車制造商（包括現有制
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SiC BEV 牽引逆變器
近日，ERNI推出iBridge Ultra連接器系列的全新型款，這為已經很廣泛的線對板解決方案新增了其他連接器。這些2.0mm間距連接器經設計提供緊湊和可靠的連接，可承受強烈的振動，適合在惡劣環境中使用。其中的關鍵功能包括端子位置保證(TPA)，用于在母連接器外殼中為壓接觸點提供輔助鎖定。除了公連接器部件的定位銷之外，這個輔助鎖定功能還可以特別增強連接的抗強振動能力，比如汽車應用中發生的強振動。iBridge Ultra已根據汽車行業的USCAR-2和USCAR-21要求進行了測試，此外，這款牢固且緊湊
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ERNI iBridge Ultra
近日，全球知名半導體制造商羅姆和意法半導體（以下簡稱“ST”）宣布，雙方就碳化硅（以下簡稱“SiC”）晶圓由羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH （以下簡稱“SiCrystal”）供應事宜達成長期供貨協議。在SiC功率元器件快速發展及其需求高速增長的大背景下，雙方達成超1.2億美元的協議，由SiCrystal（SiC晶圓生產量歐洲第一）向ST（面向眾多電子設備提供半導體的全球性半導體制造商）供應先進的150mm SiC晶圓。ST 總經理 兼 首席執行官（CEO） Jean-Marc Chery 說：
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SiC 車載
簡介電動汽車、可再生能源和儲能系統等電源發展技術的成功取決于電力轉換方案能否有效實施。電力電子轉換器的核心包含專用半導體器件和通過柵極驅動器控制這些新型半導體器件開和關的策略。目前最先進的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅動器的性能要求，例如，，通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進的短路保護。本應用筆記展示了ADuM4136 柵極驅動器的優勢，這款單通道器件的輸出驅動能
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DC/DC SiC
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