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搞清楚時序與頻率的區別了嗎?哪個對內存性能影響大?宏旺半導體來解答

發布人:宏旺半導體 時間:2020-06-22 來源:工程師 發布文章

       眾所周知,內存在電腦運行中發揮著不可或缺的橋梁作用。如今,大家在購買內存時,很多人會關注它的容量與價格,但是影響內存的關鍵兩個因素:頻率和時序,你是否真的了解呢?

 

內存頻率,內存主頻和CPU主頻一樣,習慣上被用來表示內存的速度,它代表著該內存所能達到的最高工作頻率。內存主頻是以MHz(兆赫)為單位來計量的。內存主頻越高在一定程度上代表著內存所能達到的速度越快。內存主頻決定著該內存最高能在什么樣的頻率正常工作。

 

如今通常使用的內存為2400MHz,這是比較大眾化的選擇,而高端游戲玩家則會選擇更高的3000MHz甚至3600MHz頻率的內存給游戲帶來更高的體驗。但是宏旺半導體這里需要強調一下,購買內存并不是越高頻率越好,主要還是看適合不適合自己的電腦。如果你的主板最高只支持3000MHz頻率,而你花高價購買了4000MHz頻率的內存, 這就是一種浪費。

 

而內存時序,之前宏旺半導體說過,是描述同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)性能的四個參數:CL、TRCDTRPTRAS,單位為時鐘周期。它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數字,如16-18-18-36。宏旺半導體了解到,第四個參數經常被省略,而有時還會加入第五個參數:Command rate(命令速率),通常為2T1T,也寫作2N、1N

 

搞清楚時序與頻率的區別了嗎?哪個對內存性能影響大?宏旺半導體來解答

 

把內存存儲的地方想象成格盤,每個方格都存儲著不同的數據。CPU需要什么數據,就會向內存發出坐標指令(即CASRAS),內存則根據坐標將數據找出來(這一過程也稱為“尋址”),提供給CPU進行運算。從CAS指令發出到內存接收指令開始執行的這段等待時間,就被稱為“CL”。尋址時,內存要先在格盤中確定行(Row),再確定列(Columns)。內存訪問到這一行這一列所需要等待的時間。就是“tRCD”。

 

內存時序的參數影響隨機存儲存儲器速度的延遲時間,較低的數字通常意味著更快的性能,所以在同代同頻率的情況下,內存時序越小越好,一般情況下大家只需要看內存時序中的第一個數字,也就是CL值,數字越小越好。

 

宏旺半導體總結下來就是,其它條件相同的情況下,頻率越高、時序越低的內存條,性能越強。以宏旺半導體推出的8GB DDR4 SODIMM商用系列為例,由專業研發團隊自主開發設計,是一款高性能、高質量的產品,工作電壓為1.2V,工作溫度0℃至70℃,260 - pin SODIMM封裝,2666 Mbps速率,擁有高容量、高性能等優勢,以及可靠性保障,滿足了當前PC、電腦、電視等主流市場的需求。

 搞清楚時序與頻率的區別了嗎?哪個對內存性能影響大?宏旺半導體來解答

所以一個好的內存條應該要滿足:低時序,高容量,高頻率這三個條件,至于RGB,那就是光污染玩家的喜好了。



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