12月18日，長飛先進武漢基地項目舉行首批設備搬入儀式，標志著長飛先進武漢基地即將邁入工藝驗證新階段，全面投產正式進入倒計時。本次搬入的設備涵蓋芯片制造各個環節，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等，較原定設備搬入時間大幅提前。

長飛先進總裁陳重國表示，首批設備的進駐，標志著武漢基地項目正式進入產能建設新階段，接下來還將面臨工藝驗證、產品通線等更多、更難的挑戰。目前，長飛先進武漢基地項目正加快推進建設并對設備進行安裝調試，預計2025年5月實現量產通線。

資料顯示，長飛先進與2023年8月與武漢東湖高新區管委會簽署第三代半導體功率器件研發生產基地項目，該項目聚焦第三代半導體功率器件研發與生產，項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資80億元，規劃年產36萬片6英寸碳化硅晶圓。

當前SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態勢。全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢預測，到2028年全球SiC功率器件市場規模有望達到91.7億美元。