中國科學院上海微系統與信息技術研究所取得重要突破，成功實現了III-V族半導體量子點光源與CMOS工藝兼容的碳化硅光子芯片異質集成。這一創新性的混合集成方案，將含InAs量子點的GaAs波導精準堆疊至4H-SiC電光材料制備的微環諧振腔上，形成回音壁模式的平面局域光場。

進一步研究中，在片上集成微型加熱器后，研究人員實現了對量子點激子態光譜范圍的寬達4nm的調諧。這一片上熱光調諧能力使得腔模與量子點光信號達到精準匹配，實現了微腔增強的確定性單光子發射。實驗證明，該技術在4H-SiC光子芯片上具有擴展潛力，并能克服不同微腔間固有頻率差異帶來的問題。

這項新技術結合了高純度和CMOS工藝兼容性，并且有望推動實用化的光量子網絡發展。