三星電子在DRAM內存領域取得了重要技術突破，成為首家引入干式光刻膠（Dry PR）技術的公司。根據韓媒ETNews的報道，這項新技術將應用于即將推出的第六代10納米級工藝（1c nm）。

干式光刻膠與傳統的濕式光刻膠相比，具有顯著優勢。傳統濕式光刻膠需要使用溶劑進行旋涂和沖洗，而干式光刻膠則直接沉積在晶圓表面，避免了在去除光刻膠時液體表面張力對圖案完整性的影響。此外，干式光刻膠還提供了更高的曝光效率和更精細的線寬，極大地提升了圖案質量。

三星電子計劃將這一新技術應用于其HBM4產品的1c nm DRAM中，預計將顯著提高堆棧信號的完整性與可靠性。值得注意的是，泛林集團（Lam Research）早在今年1月29日就已宣布其干式光刻膠技術已被一家領先的存儲器制造商在最先進的DRAM工藝中成功導入。此舉標志著半導體制造技術的又一次重要進步，可能會對未來的存儲器產品產生深遠影響。