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第三代半導體突破供電瓶頸 有望在AI數據中心領域廣泛應用

發布人:ht1973 時間:2025-11-12 來源:工程師 發布文章

機構指出,為支持高功耗高性能AI計算日益增長的需求,碳化硅襯底逐漸被用于AI數據中心電源供應單元的交直流轉換階段,以降低能耗、改進散熱解決方案并提升服務器的功率密度,打開了碳化硅產品的應用領域和天花板。

  AI服務器功耗高,數據中心需要使用更高功率的供電架構。為了應對更高端的AI運算,服務器供電系統各環節的效能、功率密度需要進一步提高。SiC/GaN等第三代半導體材料具有高擊穿電場、高遷移率等特點,允許材料在更高的溫度和電壓下運行,降低能耗和成本。目前頭部廠商正在持續推動SiC/GaN在AI數據中心領域應用。東方證券指出,展望未來,在AI服務器及數據中心的大功率供電需求不斷提升的趨勢下,SiC/GaN有望得到更廣泛的應用。


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關鍵詞: 半導體

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