愛爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學家最近宣稱他們成功制出了業內首款非節型晶體管，并稱此項發明對10nm級別制程意義重大，可大大簡化晶體管的制造工藝復雜 程度。這種晶體管采用類似Finfet的結構，將晶體管的柵極制成婚戒型的結構，并在柵極中心制出硅質溝道，溝道的尺寸僅有數十個原子的直徑加起來那么大。

　　該研發團隊是由Jean-Pierre Colinge教授領導的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態，而且還具備漏電電流小，門限電壓低以及耐溫性好的優點，而且還可以兼容于CMOS工藝。

　　硅溝道中的電流由環繞在溝道周圍的柵極控制，Colinge教授表示這種晶體管的結構與1925年人們提出的理想晶體管的結構非常相似，不過目前為止還沒有人能夠按這種結構制造出實際的器件。

　　目前還不知道這種技術何時能被投入實用，這項技術目前仍處于原型機研制階段，要投入實用預計還需要等上數年。