三星電子宣布，該公司已經在業內第一家使用40nm級別工藝批量生產低功耗的4Gb DDR3內存芯片。

　　這種內存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務器內存條或者8GB SO-DIMM筆記本內存條，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代產品降低35%，能為數據中心、服務器系統或者高端筆記本節省大量能源。

　　三星指出，目前服務器系統平均每路處理器搭配六條RDIMM內存條，總容量最大96GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，內存子系統功耗可達210W，換成40nm 2Gb DDR3芯片就只消耗55W，而最新的40nm 4Gb DDR3會進一步降至僅僅36W，也就是節能83%之多，相當于為每套服務器系統節約10%的功耗。

　　由于單顆芯片容量翻番，4Gb DDR3芯片的量產也能大大推動單條32GB內存條的普及。

　　三星從去年七月開始引入40nm級別的DDR DRAM生產工藝，并計劃將該工藝的生產比例逐漸提高到90%以上。