海力士開始26nm的NAND閃存量產 作者： 時間：2010-08-12 來源：SEMI 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 韓國海力士聲稱，在其M11的300毫米生產線上開始利用20納米技術進行64Gb的NAND閃存量產。本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/111662.htm 該公司在2月時曾報道擬進行20納米級的64Gb的NAND生產，采用現有的32Gb產品進行疊層封裝完成。 海力士稱它的芯片是26nm的一種，有人稱20nm級產品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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