英特爾與鎂光開始出樣25nm TLC閃存 作者： 時間：2010-08-18 來源：cnbeta 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 英特爾今天宣布和鎂光一起發布25nm TLC閃存的第一款樣品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1個內存儲存單元可存放3位元。TLC速度慢，壽命短，但成本低，價格也較便宜，有2000-5000次擦寫壽命，非常適合U盤、SD卡和消費電子產品。新發布的芯片擁有8GB容量，芯片面積131平方毫米，比25納米制程MLC還小20%，以下是圖像：本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/111837.htm
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