久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

新聞中心

EEPW首頁 > 網絡與存儲 > 業界動態 > 英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片

英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片

作者: 時間:2010-08-19 來源:賽迪網 收藏

  和美光當地時間周二公布了存儲密度更高的。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間,還能增加消費電子產品的存儲容量。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/111862.htm

  新芯片每個存儲單元可以存儲3位信息,存儲容量高達64G位(相當于8GB)。和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的。

  兩家公司稱,使用NAND閃存的數碼相機和便攜式媒體播放器等產品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。

  兩家公司已經向客戶發送樣品,預計將于今年底投入量產。新型NAND將采用 25納米工藝生產。與每單元存儲2位信息的NAND芯片相比,存儲容量相同的新型芯片的尺寸減少約20%。美光NAND戰略營銷主管凱文•基爾巴克(Kevin Kilbuck)說,“我們在增加存儲密度的同時,能夠降低制造成本,增加存儲容量。”

  但是,存儲密度的提高是有代價的?;鶢柊涂苏f,“新型芯片寫入信息的次數有所減少。”



評論


相關推薦

技術專區

關閉