新日本無線株式會社基于和UMCJ株式會社的合作協議，已經開展進行了半導體制造（前工程的晶片工藝制造）的協同生產，并完成了晶片工藝的開發、產品開發及生產體制的健全，現在樣品發貨已經開始。

開發的工藝技術

        協同開發的工藝技術是基于UMCJ的8inch 0.35μ CMOS工藝技術，其植入了新日本無線杰出的雙極元件和BCD工藝技術里主要的功率元件DMOS元件（Nch、Pch），開發的有50V耐壓BCD工藝技術和35V耐壓CMOS工藝技術，兩種產品。50V耐壓BCD工藝技術是使用了UMCJ平坦化技術而達到最大5層布線及上層3μ厚度的金屬膜布線，35V耐壓CMOS工藝技術是在0.35μ CMOS工藝技術的基礎上實現了高耐壓的工藝技術。

開發的產品

①50V耐壓的BCD工藝技術產品

        以開關穩壓器、串聯穩壓器為主，于2011年6月已開始產品出貨了。今后還會繼續開發LED驅動器、電動機驅動器，并投入市場。利用此50V耐壓BCD技術而開發的電源IC及電動機IC產品使Wide Input Rang Products（寬廣輸入范圍的功率元件用IC）得到擴充，從而擴大了事業領域。計劃到2011年度上半期為止發布15款產品，到2011年度末為止共發布30款產品。

②35V耐壓的CMOS工藝技術產品

        以音頻放大器為主，于2010年8月已開始產品出貨了。今后還會繼續開發LCD驅動器、音頻用電子音量控制器，并投入市場。計劃到2011年度末為止共發布15款產品。

生產體制

        為了提高這些協同生產產品的生產效率，在制造后工程的主力工廠子公司佐賀電子株式會社里設置了8inch晶片生產線，增設了各種生產設備，匯集了從晶片測試到組裝的生產工程。

        此外，為了提高產品品質和實現生產穩定化，把UMCJ官山工廠的元件參數變動數據和佐賀電子的晶片信賴性測試數據匯總，然后由川越制作所一并管理的系統已經構建完成。