瑞薩開發出低損耗碳化硅（SiC）功率器件
—— 有助于空調、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統提高電源效率
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(注1)碳化硅(SiC)：這種材料在熱導率、允許的工作溫度、輻射暴露及絕緣擊穿場強等特性上優于硅，具有用于低損耗功率器件的巨大潛力。
本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/128665.htm(注2)反向恢復時間：當二極管在規定的正向電流已流過后從導通狀態轉換至關閉狀態，由于在結中積累了少量載流子，因而將存在反向電流。反向恢復時間表示在切換至關閉狀態后恢復到規定電流值所需的時間。
【附件】
RJS6005TDPP SiC SBD的產品規格
1. RJS6005TDPP的規格
- 反向峰值電壓(VRM)：600 V
- 平均整流電流(Io)：15 A
- 正向壓降(VF)：1.5 V
- 反向恢復時間(trr)：標準15 ns(ID = 10 A，VGSS = 10 V)
- 額定通道溫度(Tch)：+150 ℃
- 封裝：TO-220，全封
2. 參考圖：正向電壓的溫度依賴性
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