飛兆開發出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET
—— 實現出色的熱轉移特性
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便攜設備的設計人員面臨著在終端應用中節省空間、提高效率和應對散熱問題的挑戰。為了順應這一趨勢，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規格的PowerTrench®薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/132514.htm這些器件采用最新的“微間距”薄型WL-CSP封裝工藝，最大限度地減小線路板空間和RDS(ON)，并在微小外形尺寸封裝中實現出色的散熱特性。
特性和優勢
· 非常小的(0.8 x 0.8mm2)封裝僅占0.64mm2的印刷線路板面積，比2mm x 2mm CSP封裝的占位面積減小16%
· 安裝于印刷線路板時，達到低于0.4mm的超低側高
· VGS低至-1.5V，低的RDS(ON) 值
· 出色的散熱特性(1平方英寸 2盎司銅焊盤上，93度C/W的RΘJA)
· 滿足RoHS要求
· 適用于便攜應用的電池管理和負載開關功能
作為便攜技術的領先企業，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 提供廣泛的模擬和功率知識產權(IP)產品組合，可進行定制以滿足手機制造商的特定需求。飛兆半導體通過注重實現用戶滿意度和市場成功的特定模擬和功率功能，例如音頻、視頻、USB、ASSP/邏輯、RF電源、內核電源和照明等，能夠提供改善功能性同時節省空間和功率的解決方案。
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