當NAND Flash工作于同步接口模式時，接口I／O數據為DDR形式，讀寫操作時序見圖5，可以發現它非常類似于DDR SDRAM的時序，其中DQ[7：0]為數據，DQS為數據選通信號，其基本思想就是將兩組持續時間為一個時鐘周期的數據合并，使得在傳輸過程中一個時鐘周期的上升沿和下降沿都能傳輸數據，從而獲得傳輸速度的倍增。

DQ和DQS均為雙向驅動信號，當進行寫操作時，由控制器進行驅動，當進行讀操作時，由Flash芯片內部進行驅動，本文雙向信號采用圖6方法實現，該結構需要置于整個設計的頂層，從而利于綜合的進行。

DQ與DQS信號間的相位關系對DDR接口非常重要。當對NAND Flash進行寫操作時，控制器必須產生一個與DQ數據信號中心對齊的DQS信號，所用發送端口電路如圖7所示，CLKS為同步接口模式下系統的整體時鐘。通過多路選擇器實現16bit數據DATA_O轉兩組8bit數據DQ_O輸出。CL-KS為高時對應DATA_O的高8bit數據，CLKS為低時對應DATA_O的低8bit數據，最后將CLKS進行移相作為DQS_O選通信號輸出。

當從Flash存儲器件讀取的時候，Flash輸出的DOS信號是與DQ信號邊沿對齊的，需要對接收到的DQS信號進行相移使之與DQ信號中心對齊，以采到準確的數據。圖8是DQS移相后與DQ中心對齊的實際仿真波形圖。所用讀接口結構如圖9所示，首先將DQS_I選通信號進行移相，然后通過兩組分別為上升沿觸發和下降沿觸發的寄存器采樣與DQS_I上升沿和下降沿對齊的兩組8bit數據DQ_I，并通過一組同樣是上升沿觸發的寄存器將這兩組8bit數據合并成16bit數據。

實現讀寫操作的電路中都使用了DELAY單元，以達到移相的目的，DELAY單元可以由兩種方法實現：DLL和延遲線。將相移定為90°，是假設DQ和DQS是理想的源同步接口，并假定DQ和DQS經過芯片內部延時、PCB板上延時及pin腳延時是相同的，這樣能得到最理想的數據窗口。