久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

新聞中心

EEPW首頁 > 嵌入式系統 > 業界動態 > 英特爾發布14nmFinFET工藝Xeon處理器和使用3D NAND的SSD

英特爾發布14nmFinFET工藝Xeon處理器和使用3D NAND的SSD

作者: 時間:2016-04-06 來源:技術在線 收藏

  于2016年4月1日發布了服務器用微處理器的新產品以及企業級SSD的新產品。兩種類的新產品都容易實現SDI(軟件定義基礎架構),能輕松構建合適的云環境等。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/201604/289259.htm

  此次發布的MPU是面向中端服務器的“Intel Processor E5-2600 v4系列”(開發代碼:Broadwell-EP),利用14nm FinFET工藝制造。與利用22nm FinFET制造的上一代產品“Intel Processor E5-2600 v3系列”(開發代碼:Haswell-EP)相比,強化了性能等。

  具體來說,每個插槽的CPU內核數/線程數量由最多18/36增至22/44;末級緩存容量由45MB增至55MB;支持的的DDR4內存速度也更高,上一代產品最高為DDR4-2133,而新產品達到DDR4-2400。

  SSD新產品有兩個系列,分別是“Intel SSD DC P3320/P3520系列”和“Intel SSD DC D3700/D3600系列”。前者在SSD中首次采用了3D NAND,其中,P3320的性能是SATA連接的現有產品的最高5倍。

  D3700/D3600是SSD中首款支持雙端口的產品。是PCI Express連接的SSD,符合NVMe(Non-Volatile Memory Express)標準。以D3700為基礎構建的系統性能最高可達到現在市場上的雙端口SAS的6倍。



關鍵詞: 英特爾 Xeon

評論


相關推薦

技術專區

關閉