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650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實現最大功率密度

作者: 時間:2018-06-01 來源:電子產品世界 收藏

  科技股份公司進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP?5 產品陣容。新的產品家族可提供最高40 A 650V ,它與相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度日益增長的需求,適于使用自動化表面貼裝生產線。要求最大功率密度和能效的典型應用包括太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電池充電和蓄電等。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/201806/380940.htm

  的超薄TRENCHSTOP 5技術可以縮小芯片尺寸、提高功率密度。得益于此,率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產品,這個新的產品家族的額定參數高于市場上的所有其他產品,其他組合封裝解決方案的功率僅為其75%。

  新器件的高功率密度允許設計人員升級現有設計,開發輸出功率提高最多25%的新平臺,或者減少并聯功率器件數量,從而實現更緊湊的設計。獨一無二的組合封裝40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247,用于表面貼裝。這可支持輕松焊接,實現快速且可靠的貼裝生產線。

  供貨情況

  全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 650V IGBT已投入量產。產品家族包括15 A、20 A、30 A單管IGBT,以及15 A、20 A、30 A和40 A IGBT與相同電流參數飛輪二極管組合封裝解決方案。



關鍵詞: 英飛凌 IGBT

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