低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度
—— 器件采用PowerPAK SO-8單體封裝，柵極電荷與導通電阻乘積優值系數達到同類產品最佳水平
加入技術交流群
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET--- SiRA99DP ，10 V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代 SiRA99DP 導通電阻達到業內最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。
本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/202008/417198.htm日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC，柵極電荷與導通電阻乘積，即開關應用中MOSFET的重要優值系數 (FOM) 為185 mW*nC，達到同類產品最佳水平。
器件是輸入電壓12 V電路的理想選擇，適用于適配器、電池和通用電源開關、反向極性電池保護、 OR-ing功能，以及電信設備、服務器、工業PC和機器人的電機驅動控制。SiRA99DP減少并聯器件數量，換句話說，加大單個器件電流，從而提高功率密度，節省這些應用的主板空間。此外，作為p溝道MOSFET，器件不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。
這款MOSFET經過RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。
SiRA99DP現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為12周，視市場情況而定。
評論