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銀河微電:功率MOSFET器件已實現Clip Bond技術量產

作者: 時間:2023-02-20 來源:界面新聞 收藏

12月20日在互動平臺表示,功率器件已實現Clip Bond技術的量產;IPM模塊已完成一款封裝的量產,未來將根據市場情況逐步系列化;DFN0603無框架封裝已完成工藝驗證,性能指標符合開發目標要求;CSP0603封裝已完成技術開發,未來芯片線改擴建時將進行成果轉化。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/202302/443503.htm


關鍵詞: 銀河微電 MOSFET

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