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傳ASMPT與美光聯合開發下一代HBM4鍵合設備

作者: 時間:2024-07-01 來源:全球半導體觀察 收藏

據韓媒報道,韓國后端設備制造商 已向提供了用于高帶寬內存 (HBM) 生產的演示熱壓 (TC) 鍵合機。雙方已開始聯合開發下一代鍵合機,用于生產。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/202407/460500.htm

根據報道,還從日本新川半導體和韓美半導體采購TC鍵合機,用于生產HBM3E,于今年4月向韓美半導體提供了價值226億韓元的TC Bonder采購訂單。

據透露,正在使用熱壓非導電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E,該種工藝很可能會在下一代產品 中采用。 16H產品正在考慮使用混合鍵合。

此外,目前美光最大的HBM生產基地在臺灣地區,另據日經亞洲引述知情人士透露,美光科技正在美國建設先進高帶寬存儲(HBM)芯片的測試生產線,并首次考慮在馬來西亞生產HBM,滿足AI熱潮帶來的更多需求。

美光曾表示,公司目前正積極強化HBM技術并同步擴充產能,公司目標是到2025年將HBM(AI芯片的關鍵組件)的市場份額提高三倍以上,達到20%左右。



關鍵詞: ASMPT 美光 HBM4

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