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因 HBM3/3E 內存產能擠占,SK 海力士 DDR5 被曝漲價 15~20%

作者: 時間:2024-08-13 來源:IT之家 收藏

IT之家 8 月 13 日消息,華爾街見聞報道稱,SK 已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應鏈人士稱, DDR5 漲價主要是因為 3/3E 產能擠占。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/202408/461979.htm

今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間:各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產能,這表明價格已經不太可能下降;再加上下半年是傳統旺季,預計價格會有所上漲。

▲ SK DDR5 DRAM

IT之家今日早些時候還有報道,SK 海力士等三大原廠采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即將在 2024~2025 年推出。而從下代 1d nm 節點開始,先進內存將使用 EUV 多重曝光,大幅提升生產流程中 EUV 光刻環節的成本。




關鍵詞: 海力士 HBM 存儲

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