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511W/kg能效,溫度直降66℃!機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)迎來(lái)氮化鎵革命

作者: 時(shí)間:2025-09-18 來(lái)源:EEPW 收藏

機(jī)器人拳擊比賽上,本想重拳出擊KO對(duì)方,結(jié)果拳打出去沒(méi)有力氣;機(jī)器狗凌空翻轉(zhuǎn),卻在半空卡住,尷尬落地。

機(jī)器人打出去的拳是否有力,反應(yīng)速度快不快,動(dòng)作是否流暢,這一切都與電機(jī)密切相關(guān)。推出氮化鎵電機(jī)方案,融合24bit高精度磁、帶通信的MCU和氮化鎵技術(shù),重塑性能!

01

超高精度,動(dòng)作絲滑如真人

24bit磁,分辨率比傳統(tǒng)的16bit提升了8倍(24bit產(chǎn)品是實(shí)際有效位16bit+8bit的校驗(yàn)位,比平常的16bit(實(shí)際有效位13bit)的精度高8倍),角度控制可以精確到0.02°!在這樣的條件下,機(jī)器人能輕松完成復(fù)雜的動(dòng)作,無(wú)論是精準(zhǔn)出拳還是優(yōu)雅轉(zhuǎn)身,都流暢自然,宛如真人。

02

納秒級(jí)響應(yīng),快如閃電

高性能MCU搭配100Mbps 通信,速度從微秒級(jí)提升至納秒級(jí)。關(guān)節(jié)瞬態(tài)響應(yīng)快到極致,格擋、閃避、重拳出擊,招招迅猛,絕不拖泥帶水。

03

511W/kg頂級(jí)能效,續(xù)航強(qiáng)大

將驅(qū)動(dòng)頻率提升至100kHz,

死區(qū)時(shí)間低至10ns。

相比傳統(tǒng)MOSFET方案,整機(jī)效率提升12%,整機(jī)功率密度高達(dá)511W/kg!

關(guān)節(jié)損耗更低、力量更強(qiáng),讓機(jī)器人真正擁有持續(xù)跳動(dòng)的“心臟”。

04

熱管理革新,低溫升保障持久戰(zhàn)力

因?yàn)?a class="contentlabel" href="http://cqxgywz.com/news/listbylabel/label/氮化鎵器件">氮化鎵器件用了比較先進(jìn)的封裝設(shè)計(jì),熱量可以直接通過(guò)器件頂部外殼散出去,相較于常規(guī)mos通過(guò)底部焊盤(pán)鋪銅,更容易進(jìn)行散熱處理;同時(shí)還能避免讓熱量跑到敏感的PCB板里,熱管理滿(mǎn)分升級(jí)!

用FlothermXT做了熱仿真,給GaN加了單組份導(dǎo)熱凝膠后,功率部分滿(mǎn)載溫度從134℃直接降到68℃,足足降了一半!這個(gè)時(shí)候還能保持涼爽,動(dòng)力強(qiáng)勁還不累,長(zhǎng)時(shí)間高強(qiáng)度運(yùn)行完全沒(méi)壓力!

↑傳統(tǒng)散熱方式,溫度超過(guò)130°

↑GaN加單組份導(dǎo)熱凝膠之后

↑功率部分滿(mǎn)載溫度從134℃降到68℃

氮化鎵關(guān)節(jié)電機(jī)方案,憑借 24bit精準(zhǔn)角度采集、百兆通信速率、GaN百kHz超快驅(qū)動(dòng)頻率、511W頂級(jí)能效的核心優(yōu)勢(shì),讓機(jī)器人反應(yīng)更快、動(dòng)作更穩(wěn)、力氣更大、跑得更遠(yuǎn)。

除此之外,世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)為電機(jī)提供從方案設(shè)計(jì)、技術(shù)支持到采購(gòu)的一站式服務(wù)。除GaN智能關(guān)節(jié)外,平臺(tái)還提供無(wú)框力矩/空心杯電機(jī)、靈巧手觸覺(jué),關(guān)節(jié)位置傳感等方案和產(chǎn)品,以及散熱設(shè)計(jì)仿真等服務(wù)。登錄世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)搜索關(guān)鍵詞“GaN智能關(guān)節(jié)"獲取更多方案資料。


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