Infineon Technologies 宣布，將其最新的 CoolGaN 雙向開關技術應用于 Enphase Energy 的新一代 IQ9 Series Microinverters，標志著商業太陽能性能邁出重要一步。該公司表示，此次合作將鞏固兩家公司在快速擴張的太陽能市場中的地位，同時凸顯 GaN 在下一代電力電子領域日益重要的作用。

無論致力于光伏功率級、寬帶隙設計還是下一代能源系統 —— 這一消息揭示了雙向 GaN 架構正如何開始重塑逆變器的設計、效率及安裝經濟性。

GaN BDS技術針對高效太陽能和商業裝置

Infineon 的 CoolGaN bidirectional switch（BDS）技術通過單個可實現雙向功率流的器件替代多個單向開關，實現單級功率轉換。對 Enphase 而言，這直接轉化為新一代 IQ9 Series（包括面向大型安裝場景的 IQ9N-3P? Commercial Microinverter）更高的功率輸出、更高的效率以及更簡化的系統架構。

兩家公司表示，這一設計變革有助于降低系統復雜性、縮短安裝時間并減少系統平衡成本 —— 這些都是加速商業市場采用的重要因素。“作為功率半導體市場的領導者，Infineon 精通所有相關材料：硅（Si）、碳化硅（SiC）和 gallium nitride（GaN），”Infineon Power & Sensor Systems Division President Adam White 表示，“GaN 技術的發展是我們愿景的關鍵組成部分，可為 Enphase 等企業提供最高效的功率半導體解決方案，助力其打造高性能、高效率的應用產品，推動 photovoltaic（PV）系統的廣泛采用。我們將與 Enphase 攜手，進一步推進脫碳進程，減少全球對化石燃料的依賴。”

GaN BDS 器件帶來了顯著的性能提升，Infineon 報告稱，與硅基器件相比，其損耗降低高達 68%；與傳統 GaN 單向開關相比，性能提升 42%。隨著逆變器制造商不斷追求更高的功率密度、系統可靠性和安裝靈活性，這些優勢變得越來越重要。

Enphase拓展至更廣泛的商業市場

對 Enphase 而言，向雙向 GaN 技術的轉型打開了新的應用領域。“采用 Infineon 的 CoolGaN bidirectional switch 技術，使我們能夠通過 IQ9 Series Microinverters 服務更廣泛的商業市場領域，”Enphase Energy Senior Vice President of Operations Ron Swenson 表示，“這次合作彰顯了我們在太陽能行業持續創新的承諾。GaN 技術帶來的性能提升令我們振奮，我們期待與 Infineon 深化長期合作伙伴關系。”

Enphase的IQ9系列微型逆變器

該公司指出，更高的效率和功率輸出不僅使 IQ9 系列適用于住宅屋頂，也適用于規模化和可靠性為關鍵的商業部署場景。

為快速增長的全球光伏市場定位

此次公告發布之際，全球太陽能市場正加速擴張。2024 年，太陽能光伏發電約占全球發電量的 7%，國際能源署（IEA）預測，2024 年至 2030 年間，全球新增可再生能源裝機容量將超過 5500 吉瓦，其中 80% 來自光伏。寬帶隙器件有助于實現更高效率和更低系統成本，氮化鎵有望在這一增長過程中發揮核心作用。