SemiQ 推出面向數據中心制冷與工業驅動的半橋系列產品，集成 1mΩ 導通電阻 SiC MOSFET 與并聯碳化硅二極管，實現高功率轉換效率。

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SemiQ 公司開發的 QSiC Dual3 系列 1200V 半橋 MOSFET 模塊，主要面向數據中心制冷系統中的電機驅動、儲能系統電網變流器以及工業驅動設備。

該系列共六款產品，其中兩款的導通電阻 RDS (on) 僅 1mΩ，在 62mm×152mm 封裝內實現 240W/in3 的功率密度。QSiC Dual3 系列旨在以最小的設計改動，實現對 IGBT 模塊的直接替換。

所有 MOSFET 芯片均經過超過 1450V 的晶圓級柵氧化層老化測試篩選。此外，該系列模塊具有更低的結殼熱阻，可使用更小、更輕的散熱器，顯著簡化系統設計。