博世已正式推出面向電動汽車的第三代碳化硅（SiC）芯片，并向全球汽車制造商提供樣片。這些芯片有助于提升電動汽車效率并增加續航里程。博世集團董事會成員、博世智能出行集團主席Markus Heyn表示，碳化硅半導體可精準控制能量流向，并實現效能最大化，新一代碳化硅芯片將助力客戶推出動力更強、能效更高的電動汽車。與傳統硅芯片相比，碳化硅半導體開關速度更快、運行效率更高，可減少能量損耗，并在電子設備中實現更高的功率密度。

博世表示，其新一代半導體兼具技術優勢與經濟效益，較上一代產品性能提升20%，同時體積實現大幅縮小。這種小型化設計使得在單片晶圓上產出更多的芯片，博世稱這是提升成本效益、推動高性能電子器件進一步普及的關鍵。自2021年推出第一代產品至今，博世碳化硅芯片全球交付量已突破6,000萬顆。

博世持續推進其碳化硅芯片的研發工作，同步擴大制造產能及潔凈室規模，作為歐洲共同利益重點項目（IPCEI）微電子和通信技術專項扶持計劃的一部分，博世已向半導體業務投資約30億歐元。其位于德國羅伊特林根的晶圓廠采用先進的200毫米晶圓，研發并生產第三代碳化硅芯片。2023年9月，博世收購了位于加利福尼亞州羅斯維爾的第二座工廠，該工廠配備了最先進的精密生產設備。博世計劃向這家美國工廠追加19億歐元投資，預計該工廠將于2026年生產并交付首批用于客戶測試的樣片。博世計劃利用其位于德國和美國的兩座工廠共同保障半導體供應，為汽車行業日益加速的電氣化進程打造更穩健、更具韌性的全球供應鏈，并計劃在中期將碳化硅功率半導體的年產能提升至數億顆級別。

博世依托自身獨特的制造專長，在縮小芯片尺寸的同時實現性能大幅提升。公司將1994年率先應用于傳感器制造的“博世刻蝕工藝”，成功應用于碳化硅芯片生產領域。該工藝能夠在碳化硅中構建出高精度的垂直結構，從而大幅提高芯片的功率密度，這也是博世第三代碳化硅芯片實現卓越性能的決定性因素。

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