半導體所“低熱阻高光效半導體照明關鍵技術”通過鑒定
2014年1月18日,由中國科學院科技促進發展局主持召開的“低熱阻高光效半導體照明關鍵技術”科技成果鑒定會在中科院半導體研究所舉行。
本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/221134.htm成果鑒定會上,由清華大學周炳琨、北京大學甘子釗、中科院微電子研究所吳德馨及南京大學鄭有炓等多位院士和行業內知名專家組成的鑒定委員會聽取了半導體照明研發中心研究員李晉閩的技術總結報告、測試報告、技術查新報告及用戶使用報告,并審查了相關材料,最終對該項成果形成了鑒定意見。該技術重點解決了高端功率型LED發光效率低和散熱性能差兩大技術瓶頸,通過技術輻射有力提高了國內高端功率型LED的產業化水平。該項成果技術創新特色突出,具有重要的科學意義和實用價值,實現了低熱阻高光效半導體照明核心器件,與國內外同類技術相比,總體上達到國際領先水平。同時該成果已經成功轉移到相關企業,取得重要的社會和經濟效益。其中復合光學膜技術已被行業廣泛采用,成為主流關鍵工藝技術,有力地促進了高端LED芯片的國產化進度。最終,鑒定委員會一致同意“低熱阻高光效半導體照明關鍵技術”通過成果鑒定。
此次鑒定會的成功召開,不僅展示了照明中心在半導體照明領域科研方面的新成果,提升了中心在相關領域的影響力,也為今后的發展奠定了扎實基礎,為企業的發展提供了有力的保障。
















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