豐田汽車就ECU的各種控制用IC的新制造工藝技術，在功率半導體相關國際學會“ISPSD 2011”（美國圣地亞哥，2011年5月23日～26日舉行）上作了發布。該公司將其定位于在一枚芯片上集成CMOS、DMOS晶體管及雙極晶體管等的第三代“BiCDMOS”工藝技術。此次將耐壓為6V～80V的多個不同耐壓晶體管集成到了一枚芯片上。基板采用SOI。

　　該IC具有處理各種傳感器和開關輸入的信號并向ECU內的MCU發送數據，以及將MCU輸出的數據發送給馬達和燈等功能。并且還具有向ECU內的各種電路提供電源的功能，這些功能的控制都是以一枚芯片實現的。

　　此次，通過采用第三代BiCDMOS工藝，將IC的芯片面積縮小到了2.4mm見方。采用第二代BiCDMOS工藝時，要實現具有相同功能的IC，需要4.3mm×3.8mm的尺寸。

　　除縮小了尺寸外，此次的IC還具有可在175℃的高溫環境下工作的特點。豐田在發布中，還披露了高溫試驗的評測結果。采用第二代BiCDMOS工藝制作的IC，只能在150℃以下的環境中工作。

　　現有汽車上配備的是第二代產品。第三代產品有可能配備在預定2011年上市的汽車上。