東芝公司旗下半導體&存儲產品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)柵極驅動器“TPD7104F”。新產品是一個適用于電荷泵的一體化電路，與東芝的傳統產品相比，工作電壓更低[1]，為VDD(opr)= 5至18V。即日起可供貨。

　　新產品主要規格

　　· BiCD 0.13μm工藝

　　· 供電電壓：VDD(opr)=5至18V

　　· 內置過流保護功能

　　· 內置過流診斷功能

　　· 輸出電壓

　　VOUT=VDD + 8V(最低值)@VDD=5V，IOUT=-100µA，Tj=-40至125°C

　　VOUT=VDD + 10V(最低值)@VDD=8至18V，IOUT=-100µA，Tj=-40至125°C

　　· 小型封裝： PS-8(2.8mm × 2.9mm)

　　應用

　　適用于汽車應用，驅動12V蓄電池所使用的高邊N溝道MOSFET，包括用于怠速停止系統和電動助力轉向系統(EPS)的半導體繼電器和半導體負載開關。

　　· 注1：與“TPD7102F”(VDD=7至18V)相比