據悉，2014年1月15日，美國政府正式宣布全力支持以SiC為代表的第三代寬禁帶半導體，旨在引領針對下一代電力電子的制造業創新。計劃在未來的5年里，通過使以SiC為代表的第三代寬禁帶半導體技術擁有當前Si基電力電子技術的成本競爭力，實現下一代節能高效大功率電力電子芯片和器件，從而引領包括消費類電子、工業設備、通訊、清潔能源等在內的多個全球最大規模、最快增長速度的產業市場，全面提升國際競爭力并創造高薪就業機會。

　　2014年11月7日，國家科技部曹健林副部長在其主題報告“開放創新融合-科技大跨界時代的產業發展”中指出： 從諾貝爾物理獎的半導體技術分布來看，未來將是第三代半導體，是整個業界努力的一個方向。第三代半導體技術將在能源、節能減排、國防安全、新一代信息技術和人類生活等各個方面產生巨大的影響。第三代半導體，是解決低碳、智能、綠色發展的突破口。第三代半導體，將引領下一代技術和應用的戰略變革。

　　以SiC為代表的第三代寬禁帶半導體，能夠在更高溫度和更高電壓及頻率的環境下正常工作，同時消耗更少的電力、具有更強的持久性和可靠性，這將為下一代擁有更小體積、更快速度、更低成本、更高效率的電力電子產品(包括個人電子設備、電動汽車、可再生能源聯網、工業規模的變速驅動電機、更智能化及更靈活的電網、移動信息大數據時代服務器網絡等)提供飛躍的機遇。

　　在LED半導體照明領域，SiC技術同樣發揮了重要影響和引領作用。SiC襯底，有效地解決了襯底材料與GaN的晶格匹配度問題，減少了缺陷和位錯，更高的電光轉換效率從根本上帶來更多的出光和更少的散熱。科銳開創性的SC5技術平臺和超大功率XHP LED器件基于業界最強的SiC技術，在LED外延結構和芯片架構方面實現了諸多重要技術提升，并且開發出經過優化設計的先進光轉換系統以實現最佳散熱性能和光學性能，并且使得系統層面的光學、電學、熱學、機械學成本大幅降低。

　　LED半導體照明本身是以SiC為代表的第三代半導體技術所實現的第一個突破口!其有效地解決了襯底材料與GaN的晶格匹配度問題，減少了缺陷和位錯，更高的電光轉換效率從根本上帶來更多的出光和更少的散熱。基于此，303 lm/W大功率LED實驗室光效記錄誕生，高密度級LED技術可實現尺寸更小、性能更高、設計更具靈活性的LED照明系統，開創性的SC5技術平臺和超大功率XHP LED器件可實現LED照明系統最高40%成本降低。

　　隨著SiC生產成本的降低，SiC半導體正在憑借其優良的性能逐步取代Si半導體，打破Si基由于材料本身性能的所遇到瓶頸。無疑，它將引發一場類似于蒸汽機一樣的產業革命!

　　1. SiC材料應用在高鐵領域，可節能20%以上，并減小電力系統體積;

　　2. SiC材料應用在新能源汽車領域，可降低能耗20%;

　　3. SiC材料應用在家電領域，可節能50%;

　　4. SiC材料應用在風力發電領域，可提高效率20%;

　　5. SiC材料應用在太陽能領域，可降低光電轉換損失25%以上;

　　6. SiC材料應用在工業電機領域，可節能30%-50%;

　　7. SiC材料應用在超高壓直流輸送電和智能電網領域，可使電力損失降低60%，同時供電效率提高40%以上;

　　8. SiC材料應用在大數據領域，可幫助數據中心能耗大幅降低(當前全球300萬臺數據中心每小時耗電量約為3000萬千瓦);

　　9. SiC材料應用在通信領域，可顯著提高信號的傳輸效率和傳輸安全及穩定性;

　　10. SiC材料可使航空航天領域，可使設備的損耗減小30%-50%，工作頻率高3倍，電感電容體積縮小3倍，散熱器重量大幅降低。

　　2014年伊始，美國總統奧巴馬親自主導成立了以SiC為代表的第三代寬禁帶半導體產業聯盟。這一舉措的背后，是美國對以SiC半導體為代表的第三代寬禁帶半導體產業的強力支持。據了解，這個產業目前已經獲得美國聯邦和地方政府總計1.4億美元的合力支持。而早在2013年日本政府就將SiC納入“首相戰略”，認為未來50%的節能要通過它來實現，創造清潔能源的新時代。

　　正如美國總統奧巴馬在該產業聯盟成立大會上所提到，以SiC為代表的第三代半導體技術將可使筆記本電腦適配器的體積減少80%，也可以將一個變電站的體積縮小至一個手提箱的大小規格。或許，這正是SiC半導體的魅力之所在。

　　未來，由半導體SiC材料制作成的功率器件將支撐起當今節能技術的發展趨向，成為節能設備最核心的部件，因此半導體SiC功率器件也被業界譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經濟的“核芯”。