面對競爭激烈的半導體市場，SK海力士(SK Hynix)為了維持存儲器事業持續成長，2015年將面臨三大課題：成功量產22納米DRAM、建構利川M14新廠的量產系統，以及強化三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)與3D V-NAND競爭力。

　　根據韓媒E-Daily報導，SK海力士社長樸星昱日前在京畿道利川總部舉行的定期股東大會上表示，2015年下半初期將開始量產22納米DRAM，意即最快在7月SK海力士就會開始量產22納米DRAM。

　　SK海力士近2年業績屢創新高，主力產品DRAM銷售長紅居功厥偉。

　　然而基于半導體事業特性，DRAM市場春天難以長久維持，且與競爭業者間的技術競爭也愈發激烈，讓公司內部危機感高漲。22納米DRAM能否研發成功并快速量產，將是SK海力士維持競爭力并持續成長的關鍵。

　　樸星昱表示，存儲器市場因技術難度增高，制程轉換與確保生產效能的難度也跟著提升，反觀客戶端對于產品質量的供應穩定性卻更為要求。身為存儲器業者，基礎競爭力愈來愈重要。也因此，量產22納米DRAM，成為克服SK海力士目前難題的核心關鍵。22納米DRAM若成功量產，將可一口氣提升競爭力與收益性，也可縮短跟三星電子(Samsung Electronics)之間的微細制程差距。

　　另一方面，透過利川M14新廠打造業界最高水準的量產系統，并強化TLC與3D垂直構造等NAND元件競爭力，也是SK海力士2015年的兩大主要課題。

　　總投資金額達2.1兆韓元的M14廠，是用來取代老舊DRAM廠的核心基礎設施。SK海力士計劃借由M14廠建構業界最高水準的量產系統，將8吋(200mm)晶圓生產設備改造為12吋(300mm)晶圓用設備，可望克服產能低落的問題。預定在2015年上半完工，自下半年開始稼動。

　　此外，SK海力士存儲器事業80%集中在DRAM領域，因此NAND事業若能依預期成長，將有助于SK海力士事業的多元化發展。業界預測SK海力士將在第2季推出TLC NAND，第3季推出3D NAND產品。樸星昱表示2015年將透過強化TLC與3D等NAND元件競爭力，以及補強解決方案實力等策略，確實地在市場上站穩腳步。