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coolsic mosfet 650v g2 文章 最新資訊

如何將第三代 SiC MOSFET 應用于電源設計以提高性能和能效

  • 在各種電源應用領域，例如工業電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優性能。性能要求越來越嚴苛，已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。在各種電源應用領域，例如工業電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優性能。性能要求越來越嚴苛，已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而
  • 關鍵字： Digi-Key   MOSFET  

全SiC MOSFET模塊讓工業設備更小、更高效

  • SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環境中，優于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業設備應用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實現系統的低損耗和小型化。東芝推出并已量產的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產品，其最大亮點是全SiC MOSFET模塊，不同于只用SiC SBD（肖
  • 關鍵字： Toshiba  MOSFET  

英飛凌為布魯姆能源公司的電解系統和燃料電池提供CoolSiC?功率器件

  • 【2022年10月26日，德國慕尼黑訊】當前的能源危機充分表明，全球迫切需要尋找替代能源來構建氣候友好型的能源供應能力。近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC? MOSFET和CoolSiC二極管被總部位于加利福尼亞州的布魯姆能源公司（Bloom Energy）選中，用于其燃料電池產品布魯姆能源服務器（Bloom’s Energy Server）以及布魯姆電解系統（Bloom Electrolyzer）中的功率變換。??布魯姆能源
  • 關鍵字： 英飛凌  布魯姆能源公司  電解系統  燃料電池  CoolSiC  功率器件  

認識線性功率MOSFET

  • 本文針對MOSFET的運作模式，組件方案，以及其應用范例進行說明，剖析標準MOSFET的基本原理、應用優勢，與方案選擇的應用思考。線性MOSFET是線性模式應用時最合適的選擇，能夠確保可靠的運作。然而，用于線性模式應用時，標準MOSFET容易產生電熱不穩定性，從而可能導致組件損壞。A類音訊放大器、主動式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線性模式應用，都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區內運行。了解線性模式運作在功率 MOSFET 的線性工作模式下，高電壓和高
  • 關鍵字： Littelfuse  線性功率  MOSFET  

電源系統設計優化秘技:單片驅動器+MOSFET(DrMOS)

  • 現階段，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導致向微處理器供電的穩壓器模塊(VRM)的升級需求：一是穩壓器的功率密度（單位體積的功率）升級，為了在有限空間中滿足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業一種公認的解決方案，是將先進的開關MOSFET（穩壓器的主要組成部分）及其相應的驅動器集成到單個芯片中并采用高級封裝，從而實現緊湊高效的功率轉換。這種DrMOS功率級優化了高速功率轉換。隨著對這
  • 關鍵字： 電源系統設計  單片驅動器  MOSFET  DrMOS  

科普：MOSFET結構及其工作原理

  • MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產生電場的效應來控制半導體(S)導電溝道開關的場效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應管。市面上大家所說的功率場效應晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semico
  • 關鍵字： MOSFET  

基于英飛凌SIC MOSFET 和驅動器的11kW DC-DC變換器方案

  • REF-DAB11KIZSICSYS是一個CLLC諧振DC/DC轉換器板，能夠提供高達11kW的800 V輸出電壓，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性價比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開關特性，是電動汽車和能量存儲系統（ESS）等DCDC項目的理想選擇。 終端應用產品30 kW 至 150 kW 的充電機，50 kW 至 350 kW 的充電機，儲能系統，電動汽車快速充電，功率轉換系統 （PCS）?場景應用
  • 關鍵字： mosfet  dc-dc  英飛凌  ipcdcdc  infineon  終端  功率  dc  充電器  

上海貝嶺為USB-PD應用提供高性能驅動IC和MOSFET解決方案

  • 智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新換代，功能越來越豐富，隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰。然而，在現有電池能量密度還未取得突破性進展的背景下，人們開始探索更快的電量補給，以高效充電來壓縮充電時間，降低充電的時間成本，從而換取設備的便攜性，提升用戶體驗。目前，USB-PD是最為主流的快充技術。該技術標準具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規格，以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設備都能通過一條USB-TYPE C線纜
  • 關鍵字： 上海貝嶺  驅動IC  MOSFET  

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法

  • SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時
  • 關鍵字： 羅姆半導體，MOSFET  

大聯大世平集團推出基于onsemi產品的4KW 650V工業電機驅動方案

  • 致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NFAM5065L4B智能功率整合模塊（IPM）的4KW 650V工業電機驅動方案。圖示1-大聯大世平基于onsemi產品的4KW 650V工業電機驅動方案的展示板圖近年來，隨著科技高速發展以及工業4.0的加速推進，工業市場對于電機的需求與日俱增。根據相關機構調查顯示電機的耗電量約為全球電力供應的50%。這在節能減排、實現“雙碳”的統一戰略目標下，是一項亟待解決的問題。為了提升電機運轉效率降低能源損
  • 關鍵字： 大聯大世平集團  onsemi  650V  工業電機驅動  

東芝推出面向更高效工業設備的第三代SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。  新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
  • 關鍵字： 東芝  SiC MOSFET  

英飛凌CoolSiC?器件為臺達雙向逆變器提供助力，讓電動汽車化身家庭應急備用電源

  • 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC?產品被總部位于臺灣的全球領先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用，使得臺達電子向著利用綠色電力實現能源轉型和碳中和的目標邁出了一大步。臺達成功開發出了雙向逆變器，即一個由太陽能發電、儲能和電動汽車（EV）充電組成的三合一混合系統，它能夠將電動汽車作為家庭應急備用電源。 這款雙向逆變器可用于為電動汽車（EV）和家用電池充電，還能作為意外停電時的備用電源，以及高效綠色能源發電設備的核心組件。該雙向逆變器搭
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  雙向逆變器  備用電源  

Nexperia發布具備市場領先效率的晶圓級12和30V MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關
  • 關鍵字： Nexperia  晶圓級  MOSFET  

單片驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術如何改善電源系統設計

  • 本文介紹最新的驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優勢。單片DrMOS器件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。引言隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩壓器模塊(VRM)提供。在該領域，推動穩壓器發展的主要有兩個參數。首先是穩壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數是功率轉換效率
  • 關鍵字： ADI  MOSFET  電源系統設計  

Nexperia發布超小尺寸DFN MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進一步，Nexperia成功地將該封裝技術運用到MOSFET產品組合中，成為行業競爭的領跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設備和可聽戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學習(ML)技術，這為產品設計帶來了若干挑戰。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  
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coolsic mosfet 650v g2介紹

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