coolsic mosfet 650v g2 文章 最新資訊
使用無刷直流電機加速設(shè)計周期的3種方法
- 全球都在致力降低功耗，且勢頭愈來愈烈。許多國家/地區(qū)都要求家用電器（如圖 1 所示）滿足相關(guān)組織（如中國標準化研究院 (CNIS)、美國能源之星和德國藍天使）制定的效率標準。為了滿足這些標準，越來越多的系統(tǒng)設(shè)計人員在設(shè)計中放棄了簡單且易用的單相交流感應(yīng)電機，轉(zhuǎn)而采用更節(jié)能的低壓無刷直流 (BLDC) 電機。為了實現(xiàn)更長的使用壽命和更低的運行噪音，掃地機器人等小型家電的設(shè)計人員也轉(zhuǎn)而在他們的許多系統(tǒng)中使用更先進的 BLDC 電機。同時，永磁技術(shù)的進步正不斷簡化 BLDC 電機的制造，在提供相同扭矩（負載）的
- 關(guān)鍵字： MOSFET BLDC
面向工業(yè)環(huán)境的大功率無線電力傳輸技術(shù)
- 1.?? 簡介隨著無線電力傳輸技術(shù)在消費類電子產(chǎn)品中的日益普及，工業(yè)和醫(yī)療行業(yè)也把關(guān)注焦點轉(zhuǎn)移至這項技術(shù)及其固有優(yōu)勢。在如 WLAN 和藍牙（Bluetooth）等各項無線技術(shù)的推動下，通信接口日益向無線化發(fā)展，無線電力傳輸技術(shù)也成為一種相應(yīng)的選擇。采用一些全新的方案，不僅能帶來明顯的技術(shù)優(yōu)勢，還能為新的工業(yè)設(shè)計開辟更多可能性。這項技術(shù)提供了許多新的概念，特別是在需要對抗腐蝕性清潔劑、嚴重污染和高機械應(yīng)力等惡劣環(huán)境的工業(yè)領(lǐng)域，例如 ATEX、醫(yī)藥、建筑機械等。比如，它可以替代昂貴且易損
- 關(guān)鍵字： MOSFET
仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
- 開篇前言關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。特別提醒仿真無法替代實驗，僅供參考。1、選取仿真研究對象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯(lián)Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅(qū)動電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并
- 關(guān)鍵字： MOSFET
功率半導(dǎo)體IGBT失效分析與可靠性研究
- 高端變頻空調(diào)在實際應(yīng)用中出現(xiàn)大量外機不工作，經(jīng)過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結(jié)合大量失效品分析與電路設(shè)計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結(jié)果表明：經(jīng)過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關(guān)波形檢測、熱設(shè)計分析、IGBT極限參數(shù)檢測對比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因?qū)е拢琁GBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應(yīng)、驅(qū)動控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設(shè)計方面全部提升IGBT工作可靠性。
- 關(guān)鍵字： 主動式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應(yīng) ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET
羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國際會展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(展位號:11號館B39),屆時將展示面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的、以世界先進的SiC(碳化硅)元器件為核心的產(chǎn)品及電源解決方案。同時,羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“SiC/GaN功率器件技術(shù)與應(yīng)用分析大會”以及“電動交通論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的SiC為核心的功率元器件技術(shù),以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和
- 關(guān)鍵字： MOSFET
了解熱阻在系統(tǒng)層級的影響
- 在電阻方面，電流流動的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個熱阻，可以用這些數(shù)字來計算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中，半導(dǎo)體接面是產(chǎn)生熱的來源，允許接面超過其最大操作溫度將導(dǎo)致嚴重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術(shù)來設(shè)計保護措施，以避免發(fā)生過熱關(guān)機等情況，但不可避免的是仍會造成損壞。一個更好的解決方案，就是在設(shè)計上選擇抑制 (或至少限制) 會造成接面溫度超過其操作最大值的情況。由于無法直接強制冷卻接面溫度，透過傳導(dǎo)來進行散熱是確保不會超過溫度的唯一方法。工程師需要在這
- 關(guān)鍵字： MOSFET
碳化硅邁入新時代 ST 25年研發(fā)突破技術(shù)挑戰(zhàn)
- 1996年，ST開始與卡塔尼亞大學合作研發(fā)碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動汽車。為了慶祝ST研發(fā)SiC 25周年，我們決定探討 SiC在當今半導(dǎo)體行業(yè)中所扮演的角色，ST的碳化硅研發(fā)是如何取得成功的，以及未來發(fā)展方向。Exawatt的一項研究指出，到2030年， 70%的乘用車將采用SiC MOSFET。這項技術(shù)也正在改變其他市場，例如，太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)、服務(wù)器電源、充電站等。因此，了解SiC過去25年的發(fā)展歷程是極其重要的，對今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅：半導(dǎo)體行業(yè)如何克服技術(shù)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Maxim Integrated發(fā)布來自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅(qū)動器，可最大程度地延長電池壽命并將元件數(shù)量減半
- TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅(qū)動器，有效簡化無刷直流(DC)電機驅(qū)動設(shè)計，并最大程度地延長電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅(qū)動器為每相集成了低邊檢流放大器，構(gòu)成完備的電機驅(qū)動方案；與同類產(chǎn)品相比元件數(shù)量減半，且電源效率提高30%，大幅簡化設(shè)計。TMC6140-LA針對較寬的電壓范圍進行性
- 關(guān)鍵字： MOSFET
電動汽車用SiC和傳統(tǒng)硅功率元器件都在經(jīng)歷技術(shù)變革
- 近年來，在全球“創(chuàng)建無碳社會”和“碳中和”等減少環(huán)境負荷的努力中，電動汽車（xEV）得以日益普及。為了進一步提高系統(tǒng)的效率，對各種車載設(shè)備的逆變器和轉(zhuǎn)換器電路中使用的功率半導(dǎo)體也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC 功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統(tǒng)的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET 等）都在經(jīng)歷技術(shù)變革。在OBC（車載充電機）方面，羅姆以功率器件、模擬IC 以及標準品這三大產(chǎn)品群進行提案。羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司 技術(shù)中心 副總經(jīng)理 周勁1? ?Si
- 關(guān)鍵字： MOSFET 202108
功率因素校正電路旁路二極管的作用
- 本文總結(jié)了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開機瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統(tǒng)重起動，導(dǎo)致功率MOSFET驅(qū)動電壓降低、其進入線性區(qū)而發(fā)生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài)，同時給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個措施。
- 關(guān)鍵字： 功率因素校正 旁路二極管 線性區(qū) 欠壓保護 202103 MOSFET
簡易直流電子負載的設(shè)計與實現(xiàn)*
- 隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)負載測試電源性能的方法在高科技產(chǎn)品的生產(chǎn)中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統(tǒng)負載測試方法存在功耗較大、效率與調(diào)節(jié)精度低、體積大等問題，設(shè)計并制作一款適合隨頻率、時間變化而發(fā)生改變的被測電源的簡潔、實用、方便的直流電子負載。系統(tǒng)主要由STC12C5A60S2單片機主控、增強型N溝道場效應(yīng)管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實現(xiàn)了在一定電壓與電流范圍內(nèi)恒壓恒流任意可調(diào)，并通過LCD12864液晶顯示屏顯示被測電源的電壓值、電流值及相應(yīng)的設(shè)定值
- 關(guān)鍵字： STC12C5A60S2單片機 恒流恒壓 IRF3205 負載調(diào)整率 202105 MOSFET
適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET
- 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本。基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動應(yīng)用以及需要e-fuse和電池保護的工業(yè)設(shè)備。 ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過優(yōu)化，可用于特定應(yīng)用場景。通過專注于對某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，有時需要犧牲相同設(shè)計中其他較不重要的參數(shù)，以實現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET
瑞能半導(dǎo)體舉行CEO媒體溝通會
- 近日，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen（以下簡稱Markus）的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導(dǎo)體全球市場總監(jiān)Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導(dǎo)體自2015年從恩智浦分離出后，從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中，在六年內(nèi)保持的相當規(guī)模的成長，并取得的驕人成績；結(jié)合瑞能半導(dǎo)體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產(chǎn)品，明確了在碳化硅器件行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位；在分享后續(xù)發(fā)展策略的同時，強調(diào)了瑞能半導(dǎo)體未來
- 關(guān)鍵字： MOSFET
基本半導(dǎo)體——第三代半導(dǎo)體前景無限
- 相比于數(shù)字半導(dǎo)體，我國在模擬與功率半導(dǎo)體的差距要更大一些，因為功率器件不僅僅是產(chǎn)品設(shè)計的問題，還涉及到材料等多個技術(shù)環(huán)節(jié)的突破。其中第三代功率器件也是我們重點迎頭趕上的領(lǐng)域之一。作為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)，基本半導(dǎo)體技術(shù)營銷副總監(jiān)劉誠表示，公司致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，核心產(chǎn)品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車規(guī)級全碳化硅功率模塊等，基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)品性能處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。新能源汽車是碳化硅功率器件最為重要的應(yīng)用領(lǐng)域，市場潛力大，也是基本半導(dǎo)體要重點發(fā)力的市場。站在劉誠的角
- 關(guān)鍵字： 基本半導(dǎo)體 MOSFET 中國芯
coolsic mosfet 650v g2介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條 coolsic mosfet 650v g2!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 coolsic mosfet 650v g2的理解，并與今后在此搜索 coolsic mosfet 650v g2的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 coolsic mosfet 650v g2的理解，并與今后在此搜索 coolsic mosfet 650v g2的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
coolsic mosfet 650v g2電路
coolsic mosfet 650v g2相關(guān)帖子
coolsic mosfet 650v g2資料下載
coolsic mosfet 650v g2專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473