coolsic mosfet 650v g2 文章最新資訊

PFC電路MOS管應(yīng)用電路振蕩問題分析

本文介紹了傳統(tǒng)PFC電路MOS管在應(yīng)用過程中產(chǎn)生振蕩的機(jī)理，通過具體的案例詳細(xì)分析了因MOS振蕩引起損壞的原因，并結(jié)合實(shí)際應(yīng)用給出具體的解決措施和方案，通過實(shí)驗(yàn)及大批量的生產(chǎn)驗(yàn)證表明，措施有效，穩(wěn)定且可靠，對PFC電路MOS管應(yīng)用電路及參數(shù)匹配具有重要的借鑒和參考意義。
關(guān)鍵字： 202008 PFC電路 MOS管振蕩 MOSFET 202008

超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET輸出電容特性

本文主要分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了內(nèi)部P柱形成耗盡層及橫向電場過程中，耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關(guān)系，最后討論了新一代超結(jié)技術(shù)工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉(zhuǎn)折點(diǎn)電壓，降低開關(guān)損耗，同時(shí)產(chǎn)生非常大的du/dt和di/dt，對系統(tǒng)EMI產(chǎn)生影響。
關(guān)鍵字： 202008 功率 MOSFET 超結(jié)結(jié)構(gòu) 輸出電容橫向電場

LED手術(shù)無影燈調(diào)光電路的設(shè)計(jì)及應(yīng)用

本文介紹了一款基于LM3404的LED手術(shù)無影燈恒流驅(qū)動(dòng)調(diào)光電路，詳細(xì)論述了調(diào)光電路的硬件和軟件方案的設(shè)計(jì)及實(shí)測效果。電路采用單片機(jī)MSP430F1232控制LED驅(qū)動(dòng)模塊，集成調(diào)光控制模塊，可實(shí)現(xiàn)對大功率LED手術(shù)無影燈進(jìn)行無極調(diào)光的功能，并且含有參數(shù)記憶模式，具有智能化、精度高、穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，大大提高了LED手術(shù)無影燈的使用性能。
關(guān)鍵字： 202008 LED手術(shù)無影燈單片機(jī) LM3404 調(diào)光控制 MOSFET

安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊將支持臺達(dá)的太陽能光伏逆變器

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽能逆變器應(yīng)用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺達(dá)選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速
關(guān)鍵字： MOSFET SiC PIM 光伏逆變器

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動(dòng)器。除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預(yù)測性離散建模可以進(jìn)行系統(tǒng)級仿真
關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS

東芝面向車載應(yīng)用推出恒流2相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，面向車載應(yīng)用推出恒流2相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC“TB9120AFTG”。新款I(lǐng)C僅使用一個(gè)簡單的時(shí)鐘輸入接口就能輸出正弦波電流，無需功能先進(jìn)的MCU或?qū)Ｓ密浖?。TB9120AFTG的開發(fā)是為了接替東芝于2019年推出的首款車載步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC“TB9120FTG”，它能提供更加優(yōu)異的抗噪聲性能。TB9120AFTG采用帶低導(dǎo)通電阻（上橋臂＋下橋臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可實(shí)現(xiàn)的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產(chǎn)生微步正弦波（最高可
關(guān)鍵字： IC QFN MOSFET

InnoSwitch3-AQ已通過Q100認(rèn)證；可在30 V至550 V直流輸入下高效工作

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經(jīng)開始量產(chǎn),這是一款已通過AEC-Q100認(rèn)證的反激式開關(guān)IC,并且集成了750 V MOSFET和次級側(cè)檢測功能。新獲得認(rèn)證的器件系列適用于電動(dòng)汽車應(yīng)用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機(jī))、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
關(guān)鍵字： OBC BMS EMS MOSFET IC

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域

英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì),以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到了太陽能、服務(wù)器、儲能、電動(dòng)汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗
關(guān)鍵字： MOSFET TIM IGBT

高可靠性、節(jié)省空間的降壓/反激式開關(guān)IC適合400 VDC電動(dòng)汽車應(yīng)用

深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司 Power Integrations 近日發(fā)布已通過AEC-Q100認(rèn)證的新款?LinkSwitch?-TN2?開關(guān)IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應(yīng)用。新款汽車級LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可為連接到高壓母線的電動(dòng)汽車子系統(tǒng)提供簡單可靠的電源，這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機(jī)系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PC
關(guān)鍵字： IC MOSFET

瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅(qū)動(dòng)器的新一代引腳兼容升級產(chǎn)品；新款HIP2210提供三電平PWM輸入，以簡化電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅(jiān)固耐用，可為鋰離子電池供電的家用和戶外產(chǎn)品、水泵及冷卻風(fēng)扇中的48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)器供電。HIP221x驅(qū)動(dòng)器專為嚴(yán)苛工作條件下的
關(guān)鍵字： MOSFET UPS PWM

自有技術(shù)加持，安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應(yīng)用

寬禁帶半導(dǎo)體特別是GaN和SiC這兩年成為整個(gè)功率器件材料關(guān)注的焦點(diǎn)，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
關(guān)鍵字：安世 GaN MOSFET

ROHM開發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機(jī)逆變器在內(nèi)的車載動(dòng)力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。對于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產(chǎn)品，通過進(jìn)一步改進(jìn)ROHM獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)※3，改善了二者之間的矛盾權(quán)衡關(guān)系，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時(shí)間的前提下成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約4
關(guān)鍵字： EV OBC MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實(shí)現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應(yīng)管無需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)和控制，應(yīng)用設(shè)計(jì)大為簡化；使用標(biāo)準(zhǔn)的硅MOSFET 驅(qū)動(dòng)器也可以很容易地驅(qū)動(dòng)它們。新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
關(guān)鍵字： Nexperia 650V 氮化鎵 GaN

Diodes 公司的電源塊 MOSFET 可提升功率轉(zhuǎn)換器效率并節(jié)省 PCB 空間

Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨(dú)立 MOSFET。?DMN3012LEG 采用輕巧封裝，可提升效率，大幅節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換與控制產(chǎn)品應(yīng)用的成本、電力與空間。DMN3012LEG 在單一封裝內(nèi)整合雙 MOSFET，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm，相較于典型雙芯片解決方案，電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點(diǎn)，有利于使用負(fù)載點(diǎn) (PoL) 與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應(yīng)用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器與半橋電源拓?fù)?，以縮小功率轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。P
關(guān)鍵字： MOSFET PoL

東芝面向汽車ECU推出MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器開關(guān)IPD

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出柵驅(qū)動(dòng)器開關(guān)IPD[1]“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元（ECU）的供電電流的通斷，并計(jì)劃于今日開始出貨。TPD7107F采用東芝的汽車級低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET[2]，適用于負(fù)載電流的高側(cè)開關(guān)。作為一種電子開關(guān)，這種新型IPD能夠避免機(jī)械繼電器的觸頭磨損，有助于縮小車載ECU的尺寸并降低功耗，同時(shí)還提供免維護(hù)功能。通過提供增強(qiáng)功能（自我保護(hù)功能和輸出到微控制器的各種內(nèi)置診斷功能）以支持車載ECU所需的高可
關(guān)鍵字：柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET IPD ECU