coolsic mosfet 650v g2 文章
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增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發貨。采用這些先進氮化鎵器件的應用非常廣，包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統、DC/DC轉換器（硬開關和諧振式）和面向全自動駕駛汽車、機械人及無人機的激光雷達系統。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導
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MOSFET QRR QG
為何使用開關模式電源？顯然是高效率。在SMPS中，晶體管在開關模式而非線性模式下運行。這意味著，當晶體管導通并傳導電流時，電源路徑上的壓降最小。當晶體管關斷并阻止高電壓時，電源路徑中幾乎沒有電流。因此，半導體晶體管就像一個理想的開關。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設計人員使用SMPS而不是線性穩壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT開關模式同步降壓電源通常可實現90%以上的效率，而線性穩壓器的效率不到27.5%。這意味著功率
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MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業內最低的61 mΩ。同時，經過改進的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關應用重要優值系數（FOM）為854 mΩ*nC。節省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來提高功率密度，占位面積比采
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MOSFET FOM
可穿戴設備廣泛用于娛樂、運動和醫療健康等領域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術嵌入人們的衣著或配件的設備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業面臨的又一個新發展機遇，可穿戴設備經歷了前些年從概念火爆到實際產品大量普及的過程之后，行業前景一直穩步成長。據統計，2019年全球可穿戴技術產品市場的規模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設備已成為過去5年來消費電子領域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續爆發雖然2020年全球經歷了嚴重的新冠疫情影響，部
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MOSFET VR MR CGM IDC 202009
1 無線基站羅姆（ROHM）針對無線基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉換器等，有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開關、低導通電阻的特性，即使在高溫環境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開關損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產品，特點是導通
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耐高壓 MOSFET DC/DC 202009
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項VCSEL*1模塊技術，該技術通過提高VCSEL的輸出功率，進一步提高了空間識別和測距系統（TOF系統*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產品和用來驅動光源的MOSFET產品在電路板上是獨立貼裝的。在這種情況下，產品之間的布線長度（寄生電感*3）無意中會影響光源的驅動時間和輸出功率，這就對實現高精度感應所需的短脈沖大功率光源帶來了局限性。ROHM此項新技術的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個模塊
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MOSFET VCSEL TOF AGV
一、芯片介紹繼推出5W和20W的開關電源控制IC后，為滿足客戶對更多功率段的需求，金升陽推出內置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內置高壓MOS 管功率開關的原邊控制開關電源（PSR），采用PFM 調頻技術，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環路，穩定性和平均效率非常高。由于集成高壓啟動，可以省去外圍的啟動電阻，實現低損耗可靠啟動。同時，該芯片具有可調節線性補償功能和內置峰值電流補償功能，輸出功率最大可達8W。二、產品應用可廣泛應用于AC
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MOSFET PSR IC RFM
羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關性能，并將開關損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務器電源、UPS系統、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應
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MOSFET 碳化硅 UPS
全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團 近日宣布推出一款48V電動車應用成功產品組合解決方案，可幫助用戶加快電動滑板車、電動自行車、混合動力汽車、UPS和儲能系統的開發。該參考設計在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應用，如割草機、手推車、機器人清潔器、電動工具、移動電源等。該成功產品組合使用了15個瑞薩IC產品，包括三個關鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強健的HIP2211 100V MOSFET驅動器以及用于電機控制的RX23T 32位
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MOSFET PWM BLDC MCU
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---?SiRA99DP?，10?V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代?SiRA99DP?導通電阻達到業內最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43
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MOSFET
電動汽車(EV)將獲得越來越多的市場份額，最終取代內燃機汽車。直流快速充電站將取代或整合加油站。太陽能、風能等可再生能源將為它們提供動力。人們將希望能在不到15分鐘的時間內為電動汽車充滿電，他們不愿排隊等候唯一的充電樁。
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MOSFET PWM BMS
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機驅動IC的Click boards?開發評估板。Mikroe是一家設計和制造用于嵌入式系統開發的軟硬件工具的公司。客戶現在可通過由Mikroe制造和銷售的評估板Click boards?對東芝電機驅動IC進行評估。東芝高度集成的電機驅動IC擁有四十多年的歷史，因得到電機控制系統的普遍采用而在業界廣受推崇。為控制多種應用中的直流有刷電機、直流無刷電機和步進電機，東芝提供豐富的電機驅動
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NVM IC MOSFET
美國國家航空航天局(NASA) 噴氣推進實驗室于7月30日將毅力號 (Perseverance) 探測車送上了太空，展開火星探測之旅。這輛探測車預計將于 2021 年 2 月在火星著陸。英飛凌科技股份公司 旗下的企業IR HiRel，為該探測車提供了數千個經過抗輻射強化 (Rad Hard) 的關鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測車。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號 (Sojourner)、 2004 年的機遇號 (Opportunity) 和勇氣號 (Spir
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MOSFET IC NASA IR
嚴苛的汽車和工業環境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩壓器，與傳統控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小。可在高頻率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內）下工作的單片式穩壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩壓器的最小導通時間(TON)較低，則無需中間穩壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區時間控制，以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
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EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現諸如圖騰柱無橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優點，包括更低的開關損耗、更佳
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MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
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