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EEPW首頁 >> 主題列表 >> coolsic mosfet 650v g2

coolsic mosfet 650v g2 文章 最新資訊

采用 23mm x 16.5mm 封裝的 170W 倍壓器

  • 設計要點 DN571 - 引言對于高電壓輸入/輸出應用，無電感型開關電容器轉換器 (充電泵) 相比基于電感器的傳統降壓或升壓拓撲可顯著地改善效率和縮減解決方案尺寸。通過采用充電泵取代電感器，一個 “跨接電容器” 可用于存儲能量和把能量從輸入傳遞至輸出。電容器的能量密度遠高于電感器，因而采用充電泵可使功率密度提高 10 倍。但是，由于在啟動、保護、柵極驅動和穩壓方面面臨挑戰，所以充電泵傳統上一直局限于低功率應用。ADI公司的LTC7820 克服了這些問題，可實現高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案
  • 關鍵字： MOSFET  

在可再生能源應用的逆變器設計中使用SPWM發生器

  • 可再生能源仍然是世界范圍內的大趨勢。隨著捕獲風能、太陽能和其他形式的可再生能源的方法不斷發展，可再生能源系統的成本和效率對公司和消費者都越來越有吸引力。實際上，2016年，全球對可再生能源的資本投資跌到了多年來最低水平，但是卻創下了一年內可再生能源設備安裝數量最多的記錄。在用于可再生能源系統的組件中，逆變器是一項尤其關鍵的系統組件。由于大多數可再生能源都是通過直流電（DC）產生的，因此逆變器在將直流電（DC）轉換為交流電（AC）以有效整合到現有電網中起著關鍵作用。在混合了不同可再生能源的混合動力系統和微電
  • 關鍵字： PWM  AC  DC  MOSFET  SPWM  

采用具有驅動器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET

  • 引言人們普遍認為，SiC MOSFET可以實現非常快的開關速度，有助于顯著降低電力電子領域功率轉換過程中的能量損耗。然而，由于傳統功率半導體封裝的限制，在實際應用中并不總是能發揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后，展示對使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓撲的3.7kW單相PFC進行封裝改進后獲得的改善效果。功率元器件傳統封裝形式帶來的開關性能限制TO-247N（圖1）是應用最廣泛的功率晶體管傳統封裝形式之一。如圖1左側所示，
  • 關鍵字： MOSFET  

Vishay贊助的同濟大學電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養下一代汽車設計師

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學大學生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時為國際清潔能源的發展做出貢獻。每年，車隊設計制造一款先進的電動賽車，參加包括FSEC在內的國際大學生方程式汽車賽。在2020年襄陽站的角逐中，DIAN Racing車隊以設計報告和直線加速賽第一，8字繞環第二，耐久性第三的優異成績獲得本屆比
  • 關鍵字： MOSFET  

Vishay贊助的同濟大學電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養下一代汽車設計師

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學大學生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時為國際清潔能源的發展做出貢獻。每年，車隊設計制造一款先進的電動賽車，參加包括FSEC在內的國際大學生方程式汽車賽。在2020年襄陽站的角逐中，DIAN Racing車隊以設計報告和直線加速賽第一，8字繞環第二，耐久性第三的優異成績獲得本屆比
  • 關鍵字： MOSFET  

GD32創新反電動勢采樣方案，助力高效控制BLDC電機

  • 0? ?引言電機（Electric machinery，俗稱“馬達”）是指依據電磁感應定律實現電能轉換或傳遞的一種電磁裝置，用來產生驅動轉矩作為電器或各種機械的動力源。目前通常使用微控制器（MCU）對電機的啟停及轉速進行控制。本文介紹了基于兆易創新（GigaDevice）公司GD32 MCU 的一種創新型高精度反電動勢電壓采樣方案，廣泛應用于工業控制、智能制造、消費電子、家用電器、交通運輸等領域實現高效電機控制。圖1 有刷直流電機1? ?電機控制概況按照工作電源的不
  • 關鍵字： MOSFET  BLDC  

哪些應用和技術會成為2021的熱點

  • 全球都在共同積極應對新冠肺炎病毒(COVID-19)這個充滿挑戰的新環境，疫情加速了許多本來就在進行的趨勢，所有趨勢都潛藏著一個一致的主題，那就是彈性。互聯網的應用比以前有了更大的發展和進步。有很多人在網上訂購生活必需品送貨上門，以盡可能保持社交距離。人們的工作、社交、教育、娛樂幾乎超出了預期，被迫學習和適應相關的工具。幸運的是，通信和信息網絡的基礎設施已做出了令人難以置信的反應，在增加的流量和負荷下保持了良好的狀態。網絡使用量的增長刺激了對這一關鍵基礎設施的投資力度，5G基礎設施加速部署，云計算數據中心
  • 關鍵字： MOSFET  Wi-Fi 6  202101  

ROHM開發出實現超低導通電阻的第五代Pch MOSFET

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機器人等工業設備以及空調等消費電子產品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V和－60V耐壓單極型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列產品作為ROHM擁有豐碩市場業績的Pch MOSFET產品，采用了第五代新微米工藝，實現了業界超低的單位面積導通電阻*3。－40
  • 關鍵字： MOSFET  

Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經十億個周期測試的 可靠重復雪崩性能

  • 半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia今天發布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET (ASFET)產品組合，重點關注動力系統應用。該技術已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執行器。除了提供更快的關斷時間（高達4倍）外，該技術還能通過減少BOM數量簡化設計。  在汽車動力總成中的電磁閥和執行器控制領域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續流二極管或主動鉗位拓撲結構進行構建。第四個選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關
  • 關鍵字： Nexperia  AEC-Q101  MOSFET  

簡化汽車車身電機控制器設計，快速實現輕量化

  • 無論是調整座椅至最佳位置還是能夠輕松打開行李箱，車身電子設備系統都可使用電機來提高駕乘人員的舒適性和便利性。金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）控制這些應用的電動裝置。但將MOSFET用作開關給電子控制模塊設計（包括電磁干擾（EMI）和熱管理、電流感應、斷電制動以及診斷與保護）帶來了新的技術性挑戰。德州儀器開發的集成電路（IC）電機驅動器產品集成了模擬功能，可幫助電子控制模塊設計人員應對這些挑戰，同時減小解決方案尺寸并縮短開發時間。本文中，我們將討論可幫助應對這些設計挑戰、集成到電機驅動集成電路中
  • 關鍵字： MOSFET  

照明的光明未來

  • 要有（電）燈！但誰負責點亮呢？有許多人聲稱自己是電燈的發明者，在19世紀中葉的許多發展為世界變得更亮一點鋪平了道路。我們可能無法查明確切的“發現”！但我們知道的是，1879年，托馬斯·愛迪生（Thomas Edison）申請了第一個商業上成功的帶有碳化竹絲的電燈泡專利[[1]]。除了細絲材料的微小改進，包括20世紀初期從碳到鎢的轉變，我們從那時起直到最近基本上一直在使用愛迪生的古老技術。白熾燈泡迅速普及，提供了低成本和高質量的照明。但在過去的一二十年中，照明技術發生了根本性的變化，在大多數住宅和商業設施中
  • 關鍵字： MOSFET  

三安集成完成碳化硅MOSFET量產平臺打造，貫通碳化硅器件產品線

  • 中國化合物半導體全產業鏈制造平臺 --  三安集成于日前宣布，已經完成碳化硅MOSFET器件量產平臺的打造。首發1200V 80mΩ產品已完成研發并通過一系列產品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動等應用領域，有助于減小系統體積，降低系統功耗，提升電源系統功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
  • 關鍵字： 三安集成  碳化硅  MOSFET  

占空比的上限

  • 開關穩壓器使用占空比來實現電壓或電流反饋控制。占空比是指導通時間(TON)與整個周期時長（關斷時間(TOFF)加上導通時間）之比，定義了輸入電壓和輸出電壓之間的簡單關系。更準確的計算可能還需要考慮其他因素，但在以下這些說明中，這些并不是決定性因素。開關穩壓器的占空比由各自的開關穩壓器拓撲決定。降壓型（降壓）轉換器具有占空比D，D = 輸出電壓/輸入電壓，如圖1所示。對于升壓型（升壓）轉換器，占空比D = 1 –（輸入電壓/輸出電壓）。這些關系僅適用于連續導通模式(CCM)。在這個模式下，電感電流在時間段T
  • 關鍵字： CCM  TON  MOSFET  

iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優勢

  • 大規模數據中心、企業服務器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發展至關重要。但是，電力電子行業中的硅MOSFET已達到其理論極限。同時，近來氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發揮GaN晶體管的優勢，需要一種具有新規格要求的新隔離方案。GaN晶體管的開關速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開關損耗，原因在于：■? ?較低的漏源極導通電阻(RDS(ON))可實現更高的電流操作，從
  • 關鍵字： MOSFET  

應用筆記140 - 第3/3部分：開關電源組件的設計考慮因素

  • 開關頻率優化一般來講，開關頻率越高，輸出濾波器元件L和CO的尺寸越小。因此，可減小電源的尺寸，降低其成本。帶寬更高也可以改進負載瞬態響應。但是，開關頻率更高也意味著與交流相關的功率損耗更高，這需要更大的電路板空間或散熱器來限制熱應力。目前，對于 ≥10A的輸出電流應用，大多數降壓型電源的工作頻率范圍為100kHz至1MHz ~ 2MHz。 對于<10A的負載電流，開關頻率可高達幾MHz。每個設計的最優頻率都是通過仔細權衡尺寸、成本、效率和其他性能參數實現的。輸出電感選擇在同步降壓轉換器中，電感峰峰值
  • 關鍵字： MOSFET  DCE  ESR  MLCC  
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coolsic mosfet 650v g2介紹

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