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coolsic mosfet 650v g2 文章 最新資訊

IGBT掃盲文，IGBT基礎與運用知識學習

  • 　　IGBT基礎與運用　　IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內。　　理想等效電路與實際等效電路如圖所示：　　IGBT 的靜態特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態特性(開關特性)。　　動態特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
  • 關鍵字： IGBT，MOSFET  

宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務

  • 　　隨著電子產品功能愈來愈多元，對于低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產能不足，客戶龐大需求下，電子產品驗證服務龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務」，目前已有20多家海內外廠商，包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設計企業已于今年第一季底，前來宜特進行工程試樣，并于第二季初開始進行小量產，并在下半年正式量產。　　宜特董事長 余維斌指出，在車用可靠度驗證分析本業上，已做到亞洲龍頭，然而在服務客戶的同時，發現了此
  • 關鍵字： MOSFET  晶圓  

意法半導體推出離線轉換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

  • 　　意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業電源的靈活性。　　邏輯級原邊MOSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內工作，可用于設計高效的5V輸出開關電源。結合內部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能，這種優勢可簡化設計，節省空間和物料清單成本。　　VIPer11高壓轉換器可實現由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
  • 關鍵字： 意法半導體，MOSFET  

工業設備輔助電源驅動用的SiC電源解決方案

  • 　　前言　　包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統，需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統正常運行。這類產品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案。　　小型輔助電源用SiC MOSFET　　圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
  • 關鍵字： SiC，MOSFET  

計算MOSFET非線性電容

  • 　　最初為高壓器件開發的超級結MOSFET，電荷平衡現在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結電容，但電荷平衡使后者非線性進一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少，而且顯著減少，但計算或比較不同MOSFET參數以獲得最佳性能變得更加復雜。　　MOSFET三個相關電容不能作為VDS的函數直接測量，其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數據手冊最終測量給出的三個值定義如下：　　CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD　　三者中，輸入電容CG
  • 關鍵字： MOSFET  非線性電容  

電源設計經驗之MOS管驅動電路篇

  • 　　MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。　　在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
  • 關鍵字： MOSFET  電源IC  

Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導通電阻1200V碳化硅MOSFET

  • 　　全球電路保護領域的領先企業Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術開發的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略合作關系，旨在為工業和汽車市場開發電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯手打造的最新產品。?這些產品在應用電力電子
  • 關鍵字： Littelfuse  MOSFET  

宜普電源轉換公司(EPC)的專家攜手與工程師發揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能，不僅替代MOSFET器件，更為市場帶來創新設計

  • 　　EPC公司的管理及技術團隊將在中國深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業界論壇及展會上，與工程師會面并作技術交流。屆時，EPC團隊將分享如何發揮氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創新設計，從而為工程師及其客戶，打造共創共贏新局面。　　AirFuel無線充電大會暨開發者論壇 2018 (中國深圳 - 3月14至16日)　　首屆AirFuel無線充電大會暨開發者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
  • 關鍵字： 宜普  MOSFET  

高性能ZVS降壓穩壓器消除在寬輸入范圍負載點應用中提高功率吞吐量的障礙

  • 　　當前具有更高整體效率的電子系統需要更高的功率密度，這為非隔離負載點穩壓器(niPOL)?帶來了大量變革。為了提高整體系統效率，設計人員選擇避免多級轉換，以獲得他們所需要的穩壓負載點電壓。這就意味著niPOL需要支持更高的工作輸入電壓，提供更高的轉換率。除此之外，niPOL還需要在保持最高效率的同時，繼續縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著產品性能的提升，niPOL的功率需求會進一步提高。　　電源行業通過對niPOL進行多項技術升級來應對這一挑戰。過去幾年，行業已經看到器件封裝、半導體集成和M
  • 關鍵字： ZVS  MOSFET  

MOSFET芯片需求加劇 缺貨之勢持續蔓延

  • MOSFET缺貨潮來勢洶洶，看著突然實則必然，畢竟消費電子的更新迭代速度加快以及新能源汽車飛速發展已成必然之勢。
  • 關鍵字： MOSFET  芯片  

一種具有后臺校正功能的電流舵DAC

  • 　　隨著工藝水平的提高，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，即金屬-氧化物半導體場效應晶體管)閾值電壓的失配常數Avt越來越小，電流源之間的匹配程度越來越高，然而隨著DAC(Digital?to?Analog?Converter，即數模轉換器)分辨率的提高，?DAC對電流源誤差的要求越來越高[1]。其中閾值電壓失配不僅與Avt有關，由于閾值電壓的溫度系數存在，DAC工作
  • 關鍵字： DAC  MOSFET  

通過電源模塊提高電動工具設計的性能

  • 　　電動工具、 園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節)鋰離子電池供電的電機驅動。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無刷直流(BLDC)電機。BLDC電機效率更高、維護少、噪音小、使用壽命更長。　　驅動電機功率級的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護可靠、峰值電流承載能力強。小尺寸可實現工具內的功率級的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設計。高效率可提供最長的電池壽命并減少冷卻工作。可靠的操作和保護可延長使用壽命，有助于提高產品聲譽。　　為在兩個方向上驅動BDC電機，您
  • 關鍵字： BLDC  MOSFET  

汽車電源的監視和開關

  • 　　引言　　在如今的汽車中，為了提高舒適度和行車體驗而設計了座椅加熱、空調、導航、信息娛樂、行車安全等系統，從這些系統很容易理解在車中為各種功能供電的電子系統的好處。現在我們很難想像僅僅 100 多年以前的景象，那時，在汽油動力汽車中，一個電子組件都沒有。在世紀交替時期的汽車開始有了手搖曲柄，前燈開始用乙炔氣照明，也可以用鈴聲向行人發出提示信息了。如今的汽車正處于徹底變成電子系統的交界點，最大限度減少了機械系統的采用，正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數字化工具”。由于可用性和環保原因
  • 關鍵字： 電源  MOSFET   

缺貨緩解待看12寸產能 國產MOSFET持續主導消費類市場

  • 　　MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內的12寸晶圓量產之后，將8寸的產能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產能，漲價仍會持續，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產，預計2018年6月可正式投產，擴產后的產能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說。 　　MOSFET作為應用廣泛的基礎類元器件
  • 關鍵字： MOSFET  DFN  

600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET將性能提升到全新水準

  • 　　017年11月24日，德國慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7，英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結MOSFET技術。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿足了高功率SMPS市場對諧振拓撲的需求。它的LLC和ZVS PSFB等軟開關拓撲具備業內領先的效率和可靠性。這使其非常適合服務器、電信設備電源和 電動汽車充電站等高功率SMPS應用。　　 &n
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  
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