coolsic mosfet 650v g2 文章最新資訊

微芯有刷直流電機(jī)控制方案

有刷直流電機(jī)通過(guò)電刷進(jìn)行換向。以下是關(guān)于有刷直流電機(jī)的一些關(guān)鍵點(diǎn)：典型的轉(zhuǎn)子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開(kāi)，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機(jī)的定子(或外部機(jī)筒)將有
關(guān)鍵字： MOSFET 光學(xué)編碼器 PWM 有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

被忽略的細(xì)節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS

　　看到這個(gè)主題，可能有些工程師會(huì)問(wèn)：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細(xì)節(jié)決定技術(shù)，今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細(xì)節(jié)，來(lái)理解這個(gè)參數(shù)所設(shè)定的含義。　　數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時(shí)漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標(biāo)稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，所能施加的最大的額定電壓，測(cè)試的電路如圖1所示。關(guān)于雪崩擊穿問(wèn)題
關(guān)鍵字： MOSFET BVDSS

Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

　　Fairchild，現(xiàn)在是安森美半導(dǎo)體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務(wù)器、電動(dòng)車(EV)充電器和太陽(yáng)能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。　　SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應(yīng)用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設(shè)計(jì)者更大的靈活性，特別是對(duì)于尺寸受限的設(shè)計(jì)。　　Fair
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

英飛凌800 V CoolMOS P7系列設(shè)立效率和散熱性能的新基準(zhǔn)

　　英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級(jí)結(jié)技術(shù)，兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個(gè)新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應(yīng)用，可完全滿足性能、易于設(shè)計(jì)和性價(jià)比等市場(chǎng)需求。它主要側(cè)重于反激式拓?fù)洌@種拓?fù)涑Ｒ?jiàn)于適配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應(yīng)用。　　　　800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應(yīng)用中測(cè)試的其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品，這相當(dāng)于將
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

步進(jìn)電機(jī)的MOSFET管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

H橋功率驅(qū)動(dòng)電路可應(yīng)用于步進(jìn)電機(jī)、交流電機(jī)及直流電機(jī)等的驅(qū)動(dòng)。永磁步
關(guān)鍵字：步進(jìn)電機(jī) MOSFET 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體推出新款超結(jié)MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結(jié)MOSFET。　　電視和PC等設(shè)備常用的開(kāi)放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導(dǎo)致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應(yīng)用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時(shí)，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

IGBT是啥？看完這篇文章我不信你還不明白

　　電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命，由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放，人對(duì)電的需求不亞于人類世界的氧氣，如果沒(méi)有電，人類的文明還會(huì)在黑暗中探索。　　然而在電力電子里面，最重要的一個(gè)元件就是IGBT。沒(méi)有IGBT就不會(huì)有高鐵的便捷生活。　　　　一說(shuō)起IGBT，半導(dǎo)體**的人都以為不就是一個(gè)分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣，是國(guó)家“02專項(xiàng)”的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目，這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉(zhuǎn)換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓

　　一般來(lái)講，尋求更大生活空間的居民會(huì)放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務(wù)，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因?yàn)槟抢锓孔痈螅鹤痈鼘挸āＭ瑯樱?dāng)工程師需要大電流用于負(fù)載點(diǎn)(POL)設(shè)計(jì)時(shí)，他們一般會(huì)放棄高密度轉(zhuǎn)換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個(gè)更復(fù)雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案。控制器，與郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對(duì)的靈活性和經(jīng)濟(jì)性，但會(huì)占據(jù)更多不動(dòng)產(chǎn)，更多的電路板空間。　　　　直到最近，電流超過(guò)10-15A的應(yīng)用一般會(huì)依賴帶外部MOSF
關(guān)鍵字： MOSFET 封裝

關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)大合集

　　下面對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。　　1，MOS管種類和結(jié)構(gòu) 　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。　　至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。　　對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開(kāi)
關(guān)鍵字： MOS管 MOSFET

意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)碳化硅功率器件加快汽車電動(dòng)化進(jìn)程

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)在混動(dòng)汽車和電動(dòng)汽車(EV，Electric Vehicles)市場(chǎng)發(fā)布了先進(jìn)的高能效功率半導(dǎo)體器件，同時(shí)還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車質(zhì)量認(rèn)證時(shí)間表。　　電動(dòng)汽車和混動(dòng)汽車通過(guò)提高電能利用率來(lái)延長(zhǎng)續(xù)航里程。意法半導(dǎo)體最新的碳化硅(SiC)技術(shù)讓車企能夠研制續(xù)航里程更長(zhǎng)、充電速度更快的電動(dòng)和混動(dòng)汽車，使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，針對(duì)汽車所有主要電氣模塊，意法半導(dǎo)體率先推
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進(jìn)一步擴(kuò)大緊湊型門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品陣容

　　英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品家族帶來(lái)了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。　　全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動(dòng)高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計(jì)。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動(dòng)汽車充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
關(guān)鍵字：英飛凌 SiC-MOSFET

理解超級(jí)結(jié)技術(shù)

　　基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計(jì)平臺(tái)是基于平面技術(shù)。但高壓下的快速開(kāi)關(guān)會(huì)產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級(jí)結(jié)MOSFET過(guò)渡的設(shè)計(jì)工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開(kāi)關(guān)速度。本應(yīng)用指南將比較兩種平臺(tái)的特征，以便充分理解和使用超級(jí)結(jié)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。　　為了理解兩種技術(shù)的差異，我
關(guān)鍵字： MOSFET 超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)

意法半導(dǎo)體(ST)新的MOSFET晶體管技術(shù)/封裝解決方案重新定義功率能效

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設(shè)計(jì)人員提高計(jì)算機(jī)、電信網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、消費(fèi)電子產(chǎn)品的能效創(chuàng)造新的機(jī)會(huì)。　　全世界的人都在獲取、保存、分享大量的電子書(shū)、視頻、相片和音樂(lè)文件，數(shù)據(jù)使用量連續(xù)快速增長(zhǎng)，運(yùn)行云計(jì)算技術(shù)的服務(wù)器集群、互聯(lián)互通的電信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)用戶終端設(shè)備的耗電量也隨之越來(lái)越高，人們對(duì)這些設(shè)備能耗最小化的需求越來(lái)越多
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？

　　MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?　　三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅由Vce來(lái)決定，即不能采用飽和Rce來(lái)表示(因Rce會(huì)變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。　　MOS管在ON狀態(tài)時(shí)工作于線性區(qū)(相當(dāng)于三極管的飽
關(guān)鍵字： MOSFET 三極管

解析IGBT的工作原理及作用

　　本文通過(guò)等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)。可以說(shuō)，IGBT是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。　　IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。　
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

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