coolsic mosfet 650v g2 文章
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- 我曾經遇到過節假日有客人上門，必須跑到商店，在關門前挑選幾件物品的情況。我當時就意識到“跑”這個單詞會有多少種意思呢。我聽說單單作為動詞，他就有645個意思，并且還在不斷增加!表面上看起來很簡單的事情實際上會很復雜。想一想，功率MOSFET只有三個引腳(柵極、源極、漏極)。長假過后，當回到辦公室開始設計全新的電源管理熱插拔應用時，我想到看起來簡單的功率MOSFET會有多么復雜，還有就是在為熱插拔應用和功率轉換分別選擇一款MOSFET時會有什么不同。
熱插拔電路使用一個功率
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MOSFET 熱插拔控制器
- 日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。此外，TI面向低電壓電池供電型應用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實現了比同類競爭器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設計，敬請訪問：www.ti.co
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德州儀器 MOSFET CSD16570Q5B
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對1A額定值的40V緊湊型柵極驅動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式電源以及電機驅動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開關時間，有助于盡量降低開關損耗、改善功率密度，以及提升整體轉換效率。
新驅動器作為低功率控制IC的高增益緩沖級，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅動電流
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Diodes 驅動器 MOSFET
- 領先的高性能集成電路和系統解決方案提供商Exar公司，即日宣布發布一款6V至40V的工作電壓范圍，四路輸出可編程通用PMIC-XR77129。其專利性的控制架構，采用17-bit寬PID電壓型輸入前饋方式，非常適合40V輸入電壓范圍。該控制器提供單輸入電壓，四路輸出電壓軌，降壓式控制器內部集成MOSFET門極驅動和雙LDO輸出該產品還可以通過I2C總線實時監測電源狀態，動態控制輸出電壓參數。五個可配置GPIO可以用于狀態指示和時序控制，以加速電源系統設計。
XRP77129使用Exar設計工具P
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MOSFET SMBus LDO
- 第一代半導體材料Si點燃了信息產業發展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產業群，促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。
目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。曾經的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發展的材料極限，難以滿足當今社會發展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環境以及輕便小型
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LED SiC MOSFET
- I.引言
高效率已成為開關電源(SMPS)設計的必需要求。為了達成這一要求，越來越多許多功率半導體研究人員開發了快速開關器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實現低導通電阻，以降低開關損耗和導通損耗。這些快速開關器件容易觸發開關瞬態過沖。這對SMPS設計中電路板布局帶來了困難，并且容易引起了柵極信號振蕩。為了克服開關瞬態過沖，設計人員通常采取的做法是借助緩沖電路提高柵極電阻阻值，以減慢器件開關速度，抑制過沖，但這會造成相對較高的開關損耗。對于采用標準通孔封裝的快速開關器件，總是存在效率與易用性的
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寄生電感 MOSFET
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V額定值的動態OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電信系統、數據中心及服務器不間斷電源的可靠性。新產品旨在全面改善超低導通電阻功率MOSFET，從而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻斷二極管，有效降低工作溫度并加強不間斷電源系統的完整性。
新控制器通過以這種方式驅動MOSFET，同時提升標準12V和24V共軌系統的整體系統效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關斷電壓閾值。器件的電壓少于-
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Diodes MOSFET ZXGD3108N8
- 東芝公司旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統的U-MOS VI-H系列，新系列減少了76%的導通電阻，實現業界頂級的低導通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開關電源的效率。樣品出貨即日起啟動。
注：
·[1]截至2014年11月4日。東芝調查。
·[2]Qoss：輸出電荷。
主要特性
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東芝 MOSFET 低導通電阻
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設計，適合12V輸入DC-DC同步降壓應用，包括先進的電信和網絡通信設備、服務器、顯示適配器、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應用。
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國際整流器 MOSFET DC-DC
- 8寸晶圓代工產能卡位戰提前啟動，法人指出，聯電8寸廠能已被指紋辨識芯片、LCD驅動IC，以及電源管理IC客戶搶購一空，明年將成為8寸晶圓代工大贏家。
過往8寸晶圓廠主要生產LCD驅動IC、電源管理芯片等產品，隨著蘋果新機導入指紋辨識芯片，非蘋陣營明年全面跟進，相關芯片廠也開始卡位8寸晶圓產能，造就市場榮景。
此外，原以6寸生產金屬化合物半導體場效晶體管(MOSFET)也為了提升競爭力，相繼轉入8寸廠生產，讓8寸晶圓廠產能更為吃緊。
包括指紋辨識芯片、LCD驅動IC及電源管理芯片三大半
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聯電 MOSFET LCD
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 輸入同步降壓型開關穩壓器 LT8640。該器件采用獨特的 Silent Switcher® 架構，整合了擴展頻譜調制，即使開關頻率超過 2MHz 時，依然能夠將 EMI / EMC 輻射降低超過 25dB，從而使該器件能夠輕松地滿足汽車 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在開關頻率為 2MHz 時可提供高達 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 輸入電壓范圍使該器件非常適合
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凌力爾特 LT8640 MOSFET
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案，并展示在評估電路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美國國防部制定的標準，規定了地面軍用車輛所用 28V DC 電源的穩態和瞬態電壓特性。當面對 MIL-STD-1275D 中嚴格規定的浪涌、尖峰和紋波波形時，DC2150A 可將輸出電壓限制到安全的 44V。就大多數應用而言，要滿足該標準就是簡單地將 DC2150A 電路放置到容限為 44V
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凌力爾特 DC2150A MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護應用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET具有極低的導通電阻，可大幅減少導通損耗。產品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯電池的電池保護電路。IRL6297SD
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IR MOSFET IRL6297SD
- 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的最新超結 (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統以及太陽能微逆變器廠商對電源能效的要求，同時提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。
MDmesh M2系列產品擁有最新最先進的超結晶體管技術，取得了比上一代產品更低的導通電阻 (RDS(ON))，以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外，這些產品更進一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)
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意法半導體 MOSFET PowerFLAT
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