coolsic mosfet 650v g2 文章最新資訊

意法半導(dǎo)體(ST)慶祝羅塞塔號(hào)彗星探測(cè)器成功登陸彗星

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)慶祝羅塞塔號(hào)彗星探測(cè)器(Rosetta)及其菲萊號(hào)登陸器(Philae)成功登陸彗星。羅塞塔號(hào)和菲萊號(hào)內(nèi)有10,000余顆意法半導(dǎo)體研制的高可靠性抗輻射芯片。　　在歷經(jīng)10多年，長(zhǎng)達(dá)60億公里的漫長(zhǎng)太空之旅后，羅塞塔號(hào)彗星探測(cè)器終于抵達(dá)并成功釋放菲萊號(hào)登陸器登上67P/楚留莫夫-格拉希門克(67P Churyumov-Gerasimenko)彗星，菲萊號(hào)登陸器將完成拍攝彗星表面的圖片，并分析彗星
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

單相正弦波逆變電源

　　摘要：本系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)輸入直流電壓15V，輸出交流電壓有效值10V，額定功率10W，交流電壓頻率在20至100Hz可步進(jìn)調(diào)整。以MSP430單片機(jī)為控制核心，產(chǎn)生SPWM波控制全橋電路，然后經(jīng)過LC濾波電路得到失真度小于0.5%的正弦波。采用PID算法反饋控制使輸出交流電壓負(fù)載調(diào)整率低于1%，采用開關(guān)電源作為輔助電源、合理選用MOSFET等使系統(tǒng)效率達(dá)到90%，采用輸入電流前饋法來估計(jì)輸出電流以實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)以及自恢復(fù)功能。　　引言　　本次競(jìng)賽為全封閉式，不準(zhǔn)利用網(wǎng)上資源，要求參賽隊(duì)在兩天時(shí)間內(nèi)完成題
關(guān)鍵字：正弦波 MSP430 單片機(jī) SPWM MOSFET 201412

基于FAN7710V的新型高性能節(jié)能燈鎮(zhèn)流器電路設(shè)計(jì)

　　引言　　在照明技術(shù)中，電子節(jié)能燈已經(jīng)日益成為人們的首選，因?yàn)槠鋺?yīng)用范圍廣，節(jié)能環(huán)保性能好，是政府和企業(yè)節(jié)能減排的重要舉措之一。在近幾年中，我國為了推廣電子節(jié)能燈的應(yīng)用，采取了財(cái)政補(bǔ)貼政策，就像家電下鄉(xiāng)一樣，惠及全國百姓和消費(fèi)者。　　所謂電子節(jié)能燈，主要是指采用電子鎮(zhèn)流器的緊湊型熒光燈(CFL)。鎮(zhèn)流器和節(jié)能燈是一體化的，安裝和更換像白熾燈燈泡一樣方便。電子節(jié)能燈對(duì)鎮(zhèn)流器的基本要求是：電路盡可能簡(jiǎn)單，元件數(shù)量少，成本低，性能穩(wěn)定，安全可靠，使用壽命長(zhǎng)。本文以飛兆半導(dǎo)體推出的FAN7710V新型鎮(zhèn)
關(guān)鍵字： FAN7710V 電子鎮(zhèn)流器 MOSFET

大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)

　　大功率寬頻帶線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對(duì)抗、雷達(dá)、探測(cè)等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項(xiàng)非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著現(xiàn)代無線通訊技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴(kuò)頻技術(shù)對(duì)固態(tài)線性功率放大器設(shè)計(jì)提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。　　通常情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放，采用場(chǎng)效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡(jiǎn)單，正是基于場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏
關(guān)鍵字：功率放大器 MOSFET

同步整流技術(shù)DC-DC模塊電源

　　1、概述　　　　2、基本同步整流電路　　如圖1所示電路，其副邊為基本同步整流電路，關(guān)鍵波形見圖2。當(dāng)原邊主開關(guān)管Q1開通時(shí)，通過變壓器T1向副邊傳輸能量，副邊工作在整流狀態(tài)，此時(shí)SR1的Vgs電壓為變壓器副邊繞組電壓，極性為正，SR2的Vgs電壓為零，因而SR1導(dǎo)通，SR2關(guān)斷;當(dāng)原邊主開關(guān)管Q1關(guān)斷時(shí)，變壓器T1原邊繞組的勵(lì)磁電流和負(fù)載電流流經(jīng)C1，C1上的電壓開始上升，當(dāng)C1電壓升至Vin時(shí)，原邊繞組中的負(fù)載電流下降為0，在勵(lì)磁電流的作用下原邊勵(lì)磁電感Lm與電容
關(guān)鍵字： DC-DC 整流 MOSFET

你造嗎？四大MOSFET實(shí)用技巧

　　MOSFET是一個(gè)時(shí)代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進(jìn)展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為工程師們的首選。　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對(duì)MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個(gè)關(guān)于MOSFET的技巧的幾個(gè)實(shí)用技巧的事情。　　為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道
關(guān)鍵字： MOSFET MOS

英飛凌推出基于ARM內(nèi)核的嵌入式功率系列 (Embedded Power IC)，以用于汽車應(yīng)用的智能電機(jī)控制

　　英飛凌科技股份有限公司今日宣布，基于ARM®內(nèi)核的嵌入式功率系列橋式驅(qū)動(dòng)器提供無以倫比的集成水平，以應(yīng)對(duì)智能電機(jī)控制在廣泛的汽車應(yīng)用中日益增長(zhǎng)的趨勢(shì)。英飛凌利用ARM® Cortex™-M3處理器以及非易失存儲(chǔ)器、模擬和混合信號(hào)外設(shè)、通信接口連同 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，將高性能微控制器集成到單芯片上，可謂業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。因此，英飛凌嵌入式功率系列為通常與16 位相關(guān)的應(yīng)用空間實(shí)現(xiàn)了 32 位的性能。目前提供的嵌入式功率系列第一批產(chǎn)品的樣品適用于采用三相(無刷直流)電機(jī)的TL
關(guān)鍵字：英飛凌 ARM MOSFET

IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用擴(kuò)充StrongIRFET系列新推出具有超低導(dǎo)通電阻的表面貼裝75V MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出75V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、鋰離子電池組保護(hù)、熱插拔及開關(guān)電源 (SMPS) 二次側(cè)同步整流等應(yīng)用。　　全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列配備可提升低頻率應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on))、極高的載流能力、軟體二極管，以及有助于提高抗噪性的3
關(guān)鍵字：國際整流器 MOSFET IRFS7730-7P

高效高可靠性LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)心得技巧分享

　　近日，LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方面的資深達(dá)人DougBailey總結(jié)了設(shè)計(jì)工作中需要注意的問題和親身設(shè)計(jì)心得，為大家分享總結(jié)如下：　　一、不要使用雙極型功率器件　　DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個(gè)，所以一些設(shè)計(jì)師為了降低LED驅(qū)動(dòng)成本而使用雙極型功率器件，這樣會(huì)嚴(yán)重影響電路的可靠性，因?yàn)殡S著LED驅(qū)動(dòng)電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會(huì)迅速縮小，這樣會(huì)導(dǎo)致器件在溫度上升時(shí)故障從而影響LED燈具的可靠性，正確的做法是要選用MOSFET器件，MO
關(guān)鍵字： LED MOSFET PFC

華虹擁先進(jìn)Super Junction工藝平臺(tái)，提供更低耗、更高效、更小巧綠色芯制造平臺(tái)

　　(「華虹」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」) 擁有業(yè)界一流的的溝槽型600V-700V Super Junction (超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)) MOSFET (SJNFET) 工藝平臺(tái)，可為日益增長(zhǎng)的移動(dòng)終端、4G網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算和LED照明等熱點(diǎn)應(yīng)用，提供更低功耗，更高效率，更小尺寸的綠色芯制造平臺(tái)。　　隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、綠色能源技術(shù)的發(fā)展，以及全球節(jié)能減排的趨勢(shì)，產(chǎn)品應(yīng)用對(duì)電源系統(tǒng)提出更高的效率要求。作為開關(guān)電源，充電器/適配器，不間斷電源和LED驅(qū)動(dòng)等電源系統(tǒng)整流的核心器件，功率半導(dǎo)體是降低功耗、提
關(guān)鍵字：華虹 Super Junction MOSFET

基于功率MOSFET的鋰電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)

　　鉛酸電池具有安全、便宜、易維護(hù)的特點(diǎn)，因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動(dòng)自行車。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少，隨著世界各國對(duì)環(huán)保要求越來越高，鉛酸電池的使用會(huì)越來越受到限制。磷酸鐵鋰電池作為一種新型的環(huán)保電池，開始逐步的應(yīng)用到電動(dòng)車中，并且將成為發(fā)展趨勢(shì)。通常，由于磷酸鐵鋰電池的特性，在應(yīng)用中需要對(duì)其充放電過程進(jìn)行保護(hù)，以免過充過放或過熱，以保證電池安全的工作。短路保護(hù)是放電過程中一種極端惡劣的工作條件，本文將介紹功率MOSFET在這種工作狀態(tài)的特點(diǎn)，以及如何選取功率MOSFET型號(hào)和設(shè)計(jì)合適的驅(qū)動(dòng)
關(guān)鍵字： MOSFET 鋰電池 MOSFET

麥瑞半導(dǎo)體推出新型 85V 全橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

　　麥瑞半導(dǎo)體公司(Micrel, Inc.) 推出一款 85V 全橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC4606，該驅(qū)動(dòng)器具有自適應(yīng)停滯時(shí)間和擊穿保護(hù)功能。這款元件是麥瑞半導(dǎo)體最初于2013年推出的極其成功的85V MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列的成員，專注于滿足多種應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的電力需求。85V MIC4606系列是麥瑞半導(dǎo)體為滿足電池供電的工具、不間斷電源、無線電控制的玩具和不斷增長(zhǎng)的無人機(jī)市場(chǎng)的需求而實(shí)施的策略的一部分。　　麥瑞半導(dǎo)體高性能線性和電源解決方案部門營銷副總裁 Brian Hedayati 表示：&l
關(guān)鍵字：麥瑞驅(qū)動(dòng)器 MOSFET MIC4606 201410

IR推出車用40V 5x6mm雙PQFN COOLiRFET? 為小功率電機(jī)提供基準(zhǔn)性能

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布推出兩款40V車用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品——AUIRFN8459和AUIRFN8458，為需要小體積、大電流的汽車應(yīng)用，比如泵電機(jī)控制、車身控制等提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻(Rds(on))。　　在采用IR最先進(jìn)的COOLiRFET™ 40
關(guān)鍵字：國際整流器 COOLiRFET MOSFET

幾種主流MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的分析

　　開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能指標(biāo)。一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的要求是：　　(1)開關(guān)管開通瞬時(shí),驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值,保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩; 　　(2)開關(guān)管導(dǎo)通期間驅(qū)動(dòng)電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定使可靠導(dǎo)通; 　　(3)關(guān)斷
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路

從USB獲得高效的雙軌電源

　　設(shè)計(jì)5V以外電源的小功率USB電路時(shí)，您必須確定是使用獨(dú)立電池，還是使用來自主機(jī)的小型電源。如果電路需要大于5V的雙軌電源(如采用了基于運(yùn)放的儀表放大器)，或必須用于便攜計(jì)算機(jī)如筆記本電腦上，則問題就更復(fù)雜了。　　USB2.0標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了對(duì)連接設(shè)備的功率要求，即耗電最大100mA，視為小功率;耗電最大500mA，則視為大功率。本文所述電路原用于一個(gè)熱致發(fā)光(TL)儀器設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)中的微控制器、USB接口控制器，以及10個(gè)運(yùn)放均作為小功率器件，從一個(gè)USB端口獲得全部電源。　　設(shè)備的運(yùn)行需要有高性能
關(guān)鍵字： USB 雙軌電源 MOSFET