久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> coolsic mosfet 650v g2

coolsic mosfet 650v g2 文章 最新資訊

更強勁、更簡單：看電源模塊的未來趨勢

  • 　　有線、無線網(wǎng)絡以及云計算的快速膨脹，這是擺在人們眼前的重要趨勢。這一上層的大趨勢，帶動了下層的硬件及其組成部分的發(fā)展趨勢。網(wǎng)絡吞吐量的迅速攀升，需要強大而復雜的FPGA和處理器等來做性能支持。而這，需要高性能、高可靠的電源模塊來作保障。 　　最近，Intersil發(fā)布了最新的50A密封式數(shù)字電源模塊ISL8272M，從它我們可以看出電源模塊領域的一些最新趨勢。 　　Intersil公司高級應用經(jīng)理梁志翔介紹說，Intersil開發(fā)電源模塊產(chǎn)品的歷史大概要從2008年開始算起，ISL8272M可以說
  • 關鍵字： Intersil  ISL8272M  MOSFET  201504  

8種噪聲測試技術的實現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等

  • 　　噪聲通常指任意的隨機干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無規(guī)律的隨機熱運動而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計數(shù)學的方法進行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡和系統(tǒng)中，因此噪聲測量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測量。 　　附加相位噪聲測試技術及注意事項 　　本文簡單介紹了相位噪聲的定義，詳細介紹了附加相位噪聲的測試過程，給出了實際的測試結(jié)果，指出了附加相位噪聲測試過程中的一些注意事項，希望對附加相位噪聲測試人員有一定的借鑒意義。 　　用于4G-LTE
  • 關鍵字： 模塊電源  MOSFET  

短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究

  • 　　近年來隨著介觀物理和納米電子學對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu)，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會產(chǎn)生散粒噪聲，并且可能攜帶內(nèi)部結(jié)構(gòu)的信息。這使人們對宏觀電子元器件中散粒噪聲研究產(chǎn)生了極大的興趣。另一方面，隨著器件尺寸的不斷縮小，MOSFET器件中散粒噪聲成分也越來越顯著，已經(jīng)嚴重影響器件以及電路的噪聲水平，人們必須要了解電子元器件中散粒噪聲的產(chǎn)生機理和特性，以便更好的抑制器件的散粒噪聲，實現(xiàn)器件和電路的
  • 關鍵字： MOSFET  

CISSOID 公司推出 HADES v2

  • 　　CISSOID公司推出第二代 HADES®，一款高度集成的隔離式柵極驅(qū)動器產(chǎn)品。HADES® 旨在面向基于快速開關碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統(tǒng)功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和致動器應用。憑借 CISSOID 產(chǎn)品無與倫比的耐用性，柵極驅(qū)動器 HADES® 在嚴酷的環(huán)境下可實現(xiàn)更高可靠性和更長的使用壽命，從而滿足系統(tǒng)設計者對航空、汽車、工業(yè)、石油和天然氣市場的應用需求。 　　HADES®包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種，前者可以在溫
  • 關鍵字： CISSOID  MOSFET   

聯(lián)合收獲機凹板間隙調(diào)節(jié)系統(tǒng)研究

  • 　　摘要：聯(lián)合收獲機凹板間隙的大小是影響聯(lián)合收獲機脫離質(zhì)量的關鍵因素之一，本文設計了一款基于聯(lián)合收獲機的凹板結(jié)構(gòu)，通過控制線性驅(qū)動器對凹板間隙進行自動調(diào)節(jié)的系統(tǒng)，實現(xiàn)了聯(lián)合收獲機凹板間隙自動調(diào)節(jié)，通過試驗研究結(jié)果表明：該系統(tǒng)調(diào)節(jié)方便實用，且調(diào)節(jié)精度在5%以內(nèi)。 　　引言 　　谷物聯(lián)合收獲機的作業(yè)性能指標，主要包括總損失率、破損率和含雜率等。脫粒與分離滾筒是谷物聯(lián)合收獲機的重要工作部件。脫粒與分離滾筒由高速旋轉(zhuǎn)的滾筒和固定的弧型凹板配合，使谷物從滾筒與凹板之問通過，經(jīng)脫粒元件的打擊、揉搓、碾壓和梳刷，通
  • 關鍵字： 凹板間隙  CAN  PWM  MOSFET  BTS7960  201504  

打造合作共贏面向世界的創(chuàng)新模式

  • 　　摘要：本文通過對大唐恩智浦訪問，分析國產(chǎn)汽車電子現(xiàn)狀以及分析未來汽車電子發(fā)展現(xiàn)狀。 　　中國看世界，汽車電子是一個經(jīng)久不衰的市場;而世界也在看中國, 中國是否已準備好在這個市場上大展宏圖?中國首個汽車半導體設計合資公司成立一年了，名稱為“大唐恩智浦半導體有限公司”(Datang NXP Semiconductors Co. Ltd.以下簡稱：大唐恩智浦)，占盡著天時、地利、人和，如何通過建立起新型合作模式，用全球的視角去贏取市場呢?通過與總經(jīng)理張鵬崗的交流，使筆者對其創(chuàng)新理念
  • 關鍵字： 大唐恩智浦  MOSFET  汽車電子  201504  

繼電器相關技術文獻及應用電路設計匯總

  • 　　繼電器是一種電控制器件，是當輸入量(激勵量)的變化達到規(guī)定要求時，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路)之間的互動關系。通常應用于自動化的控制電路中，它實際上是用小電流去控制大電流運作的一種“自動開關”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護、轉(zhuǎn)換電路等作用。 　　極限條件下的時間繼電器設計方案 　　時間繼電器是一種使用在較低的電壓或較小電流的電路上，用來接通或切斷較高電壓、較大電流的電路的電氣元件，也許可
  • 關鍵字： PIC18F6585  MOSFET  

Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS)正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標準值的MOSFET高三倍。 　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標準，換言之，其最大結(jié)溫可高達150° C，超過標準150° C MOSFET能達到的125°
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  

Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應用

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標準值的MOSFET高三倍。 　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標準，換言之，其最大結(jié)溫可高達150° C，超過標準150° C MOSFET能達到的125° C，使更大的設計裕量成
  • 關鍵字： Fairchild   MOSFET  

Fairchild 的 800V SuperFET II MOSFET 系列提供最低的導通電阻和多種可選封裝

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設計師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性，同時通過減少元件的使用從而減少這些設計的電路板空間。 　　800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和熱特性，使其成為各種應用的理想之選
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET   

一種軟啟動與防反接保護電路

  • 　　摘要：在很多消費電子設備中用到了軟啟動電路與防反接電路，其保護作用非常顯著。多數(shù)的設計中，這兩種電路獨立存在，或者僅有一種保護電路，導致部分保護功能缺失或者電路設計復雜。本設計提出一種設計方法，同時實現(xiàn)軟啟動與防反接保護功能，且電路簡單。 　　軟啟動與防反接保護電路對電子設備有很好的保護作用，由于消費電子客戶存在多次開關機的應用場景和輸入接反的可能性。但是由于成本與電路設計的復雜性，很多設計中只提供了一種保護電路。本文基于提供全面保護與降低成本、降低設計復雜性的角度，提出一種電路，整合了軟啟動與防反
  • 關鍵字： 保護電路  軟啟動  繼電器  MOSFET  反接電路  二極管  201503  

一種高性能可智能控制型LED路燈驅(qū)動電源的設計

  • 　　摘要：本文針對傳統(tǒng)驅(qū)動電源電能損耗大、效率和智能化程度低的缺點，設計了一款適用于大功率LED路燈的高性能可智能控制型驅(qū)動電源。本文選擇了多級驅(qū)動方案，即功率因數(shù)校正(PFC)電路、LLC諧振控制電路和多路恒流輸出的三級式結(jié)構(gòu)。本文采用合理的設計，優(yōu)化了功率校正因數(shù)，增大了輸入電壓范圍，提高了整機效率，使輸出電流在全負載范圍內(nèi)更加穩(wěn)定，同時增加了PWM調(diào)光控制功能，可根據(jù)外界環(huán)境的變化智能控制LED路燈的亮度，從而達到進一步節(jié)能減排的效果。 　　引言 　　由于具有高光效、長壽命、燈具效率高、環(huán)保和易
  • 關鍵字： LED  驅(qū)動電源  PFC  LLC  PWM  MOSFET  201503  

意法半導體(ST)擴大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，為更多應用帶來寬帶隙技術優(yōu)勢

  • 　　意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應用帶來技術優(yōu)勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發(fā)電、高能效驅(qū)動器、電源以及智能電網(wǎng)設備。 　　意法半導體是業(yè)界少數(shù)具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導體研發(fā)的領導廠商之一，并始終致力于技術的研發(fā)與升級。這次推出的1200V SCT20N120進一步擴大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，具有小于290m?的通態(tài)電阻 (RDS(ON
  • 關鍵字： 意法半導體  SCT20N120  MOSFET  

LED驅(qū)動設計的5大關鍵

  • 　　要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場營銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動設計的心得。 　　一、不要使用雙極型功率器件 　　DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個，所以一些設計師為了降低LED驅(qū)動成本而使用雙極型功率器件，這樣會嚴重影響電路的可靠性，因為隨著LED驅(qū)動電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會迅速縮小，這樣會導致器件在溫度
  • 關鍵字： LED  MOSFET  

Diodes芯片級雙向MOSFET節(jié)省空間 有效提高鋰電池容量

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護。DMN2023UCB4的低導通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級封裝則使設計人員能夠利用省下來的空間來提高電池容量。新產(chǎn)品的目標終端市場包括智能手機、平板電腦、照相機、便攜式媒體播放器，以及對其尺寸丶重量和電池壽命都至關重要的同類型消費性產(chǎn)品。 　　DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ，旨在以最低的導通電阻來減低功耗。此外，其雙N通
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  
共1341條 42/90 |‹ « 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 » ›|

coolsic mosfet 650v g2介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條 coolsic mosfet 650v g2!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 coolsic mosfet 650v g2的理解，并與今后在此搜索 coolsic mosfet 650v g2的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473