coolsic mosfet 650v g2 文章
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- 噪聲通常指任意的隨機干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質內部微粒作無規律的隨機熱運動而產生的，常用統計數學的方法進行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網絡和系統中，因此噪聲測量主要指電子元件和器件、網絡和系統的熱噪聲和特性的測量。 附加相位噪聲測試技術及注意事項 本文簡單介紹了相位噪聲的定義，詳細介紹了附加相位噪聲的測試過程，給出了實際的測試結果，指出了附加相位噪聲測試過程中的一些注意事項，希望對附加相位噪聲測試人員有一定的借鑒意義。 用于4G-LTE頻段噪聲測試
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MOSFET 噪聲
- 摘要 – 近幾年來，開關電源市場對高能效、大功率系統的需求不斷提高，在此拉動下，設計人員轉向尋找電能損耗更低的轉換器拓撲。PWM移相控制全橋轉換器就是其中一個深受歡迎的軟硬結合的開關電源拓撲，能夠在大功率條件下達取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關管在零壓開關(ZVS)轉換器內的工作特性。 1. 前言 零壓開關移相轉換器的市場定位包括電信設備電源、大型計算機或服務器以及其它的要求功率密度和能效兼備的電子設備。要想實現這個目標，就必須最大限度降低功率損耗和無功功率
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MOSFET ZVS
- 問題1：最近，我們公司的技術專家在調試中發現，MOSFET驅動電壓過高，會導致電路過載時，MOSFET中電流過大，于是把降低了驅動電壓到6.5V，之前我們都是在12V左右。這種做法感覺和您在文章里第四部份似乎很相似，這樣做可行么? 問題分析： 系統短路的時候，功率MOSFET相當于工作在放大的線性區，降低驅動電壓，可以降低跨導限制的最大電流，從而降低系統的短路電流，從短路保護的角度而言，確實有一定的效果。然后，降低驅動電壓，正常工作時候，RDSON會增大，系統效率會降低，MOSFET的溫度會升高，
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MOSFET 芯片
- MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。 在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
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MOSFET 驅動電路
- 功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態。一般直接驅動負載，帶載能力要強。 功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功
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MOSFET 功率放大電路
- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)發布兩款40V汽車級MOSFET。新產品采用意法半導體最新的STripFET? F7制造技術，開關性能優異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導通能力強。新產品最大輸出電流達到120A，主要目標應用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統，同時優異的開關特性使其特別適用于電機驅動裝置，例如電動助力轉向系統(EPS)。
意法半導體的STripFET系列采用DeepGATE?技
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意法半導體 MOSFET
- MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
目前在市場應用方面，排名第一的是消費類電子電源適配器產品。而MOS管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB、
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MOS管 MOSFET
- 摘要：文章對主流熱插拔控制策略進行了比較分析，在介紹熱插拔控制器TPS2491功能結構后，以24V電源背板總線數據采集卡為設計實例，詳細介紹了基于TPS2491進行熱插拔保護電路的設計過程，并對設計電路進行了測試驗證，
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TPS2491 熱插拔 保護電路 MOSFET
- 2010年，供應商發布了第一波基于GaN技術的功率半導體。但直到最近，這種產品的可用性依然不高，價格也高昂不下，GaN技術一直在尋找理想的應用空間。隨著時間的推移，這些器件預計將逐步應用到電動汽車、移動設備的快速充電適配器、無線充電和其他系統中，GaN基功率半導體器件正在電源市場上攻城拔寨。
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GaN MOSFET
- 英飛凌科技股份公司發布針對高能效設計和應用的OptiMOS™ 5 150 V產品組合。該產品家族進一步壯大了行業領先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應用而優化。它是英飛凌面向低壓馬達驅動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽能電源優化器等系統解決方案的重要組成部分之一。
更環保的技術
英飛凌堅持不懈地研發適用于高能效設計的產品，以幫助減少全球二氧化碳排放
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英飛凌 MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出適用于智能手機和平板電腦等移動設備中的負載開關的N溝道MOSFET，該產品實現了業界領先的1]低導通電阻。新產品出貨即日啟動。
新產品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。這些新MOSFET利用東芝最先進的“U-MOS IX-H系列”溝道工藝，實現了業界領先的低導通電阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及&
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東芝 MOSFET
- 大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但
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SoC FinFET MOSFET
- 近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統制造商任職的設計師。“您碰巧在設計中用過60V的負載開關嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
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SOT-23 MOSFET
- 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數基本相等的脈沖響應以及
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MOSFET VP-P 電壓
- 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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MOSFET 高頻特性 放大器電路 工作原理
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