coolsic mosfet 650v g2 文章
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開關調節器中的快速開關瞬變是有利的，因為這顯著降低了開關模式電源中的開關損耗。尤其是在高開關頻率時，可以大幅提高開關調節器的效率。但是，快速開關轉換也會帶來一些負面影響。開關轉換頻率在20 MHz和200 MHz之間時，干擾會急劇增加。這就使得開關模式電源開發人員必須在高頻率范圍內，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了創新的Silent Switcher?技術，即使是極快的開關邊沿，也可能產生最小電磁輻射。圖1.對開關模式電源進行開關轉換，在開關節點處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
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開關 MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發的系列產品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
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SiC MOSFET
最近，由深圳市科學技術協會、坪山區人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術創新、產業發展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產化替代進程，助力國產半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術協會黨組書記林祥、深圳市坪山區科技創新局局長黃鳴出席論
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碳化硅 二極管 MOSFET
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，兩者均為符合車用規范的 MOSFET，采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區域，可在直流對直流 (DC-DC) 轉換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車應用之中，提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時的 RDS(ON) 標
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MOSFET 汽車
中國，2019年7月29日——意法半導體VIPer26K發布高壓功率轉換器，集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼備寬壓輸入與設計簡單的優點。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓，無需傳統垂直堆疊FET和相關無源元件，即可實現類似的電壓處理能力，可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉換器內置漏極限流保護功能，MOSFET包含一個用于過溫保護的senseFET引腳。單片集成高壓啟動電路、內部誤差放大器和電流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常見開關式電源拓撲，包括原邊或副
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電源 意法半導體 擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉換器
? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優勢。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。? ? ? 不過，制約SiC發展的，最主要的是價格，主要原因有兩個，一個是襯底，一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，ROHM等公司已經有6英寸的晶圓片。在技術方面，眾廠商競爭
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SiC MOSFET
中美貿易戰戰火延燒，華為禁令事件已經讓大陸業者火速要求邏輯IC供應鏈緊急備貨，熟悉功率元件業者透露，除了鞏固華為海思晶圓代工、封測代工供應鏈以及臺系邏輯IC供應體系外，瘋狂掃貨力道已經蔓延到功率基礎元件金氧半場效晶體管(MOSFET)。
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華為 MOSFET 中美貿易戰
Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國 慕尼黑） 摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。 關鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅動器；耐受性；隔離? ? &nb
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201905 IGBT MOSFET 柵極驅動器 耐受性 隔離
一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間，有結電容存在。這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單......
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MOS MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC
MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產品陣容豐富，擁有13個機型。 ROHM于2010年在全球率先成功實現SiC
MOSFET的量產，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產品開發和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
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ROHM SiC MOSFET
2019年3月19日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC)
MOSFET。工業級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術的使能、廣泛性能優勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不間斷電源及服務器電源。 這標志著安森美半導體壯大其全面且不斷成長的SiC
生態系統，包括SiC二極管和SiC驅動器等互補器件，以及
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安森美 MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結
MOSFET“PrestoMOS”系列產品，在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時，提高設計靈活度，非常適用于空調、冰箱等白色家電的電機驅動以及EV充電樁。近日，該系列產品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機型。 此次開發的新系列產品與以往產品同樣利用了ROHM獨有的壽命控制技術，實現了極快的反向恢復時間(trr)。與IGBT相比，輕負載時的功耗成功減少了58%左右。另外，通過提高導通MOSFET所需要的電壓水
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ROHM MOSFET
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD)
為領先業界的高質量應用特定標準產品全球制造商與供貨商，產品涵蓋廣泛領域，包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場。公司推出 NPN 與 PNP
功率雙極晶體管，采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達 100V 與 3A 的應用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP
晶體管的尺寸較小，可在閘極驅動功率 MOSFET 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩壓器、PNP LDO 及負載開關電路，提供更高的功率密度設計。
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Diodes MOSFET
2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代號：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國際應用電力電子展會(APEC)上展示其強大產品陣容。Vishay展位設在411展臺，將展示適用于廣泛應用領域的最新業內領先功率IC、無源器件、二極管和MOSFET技術。 在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx
microBR
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Vishay MOSFET
世紀金光是國內首家貫通碳化硅全產業鏈的綜合半導體企業。產品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導體材料全產業鏈，包括：電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應用，形成了較為完整的產業鏈體系，正在大力進行垂直整合，全面推進從產業源頭到末端的全鏈貫通。 主要應用 w高效服務器電源 w新能源汽車 w充電樁充電模組 w光伏逆變器 w工業電機 w智能電網 w航空航天 SiC MOSFET系列 產品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿足多
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新能源汽車 MOSFET
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