作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關系著幾大財團的營收，比如三星、SK海力士等等。據國外媒體報道，消費電子產品需求下滑，導致對芯片的需求下滑，尤其是存儲芯片，需求與價格雙雙下滑。韓國關稅廳最新公布的數據顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產品還有智能手機等移動設備，但這一類產品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標志性的一個現象是，全球智能手機老大已經在不停的砍單了，至少在3000萬部，這也
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2022年已經接近尾聲，3nm制程的競爭似乎也進入到了白熱化階段，臺積電和三星誰先真正實現3nm制程的量產，一直都是產業的焦點。雖然需要用到3nm芯片的廠商少之又少，但這并不妨礙它是巨頭爭相追逐的對象，畢竟對于整個半導體產業來說，搶先掌握先進工藝是占領市場最關鍵的部分。
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當前全球半導體市場的狀況并不樂觀，在消費電子產品需求下滑的影響下，存儲芯片的價格與需求雙雙下滑，三星、SK海力士等存儲芯片廠商均受到了影響。但在不利的市場狀況下，并未影響三星的投資決心，他們在半導體工廠方面仍在大力投資。外媒最新的報道顯示，三星今年前三季度在工廠方面已完成329632億韓元的投資，其中半導體工廠方面的投資高達291021億韓元，折合約219.55億美元，占到了全部工廠投資的88%。不過從數據來看，雖然三星電子在半導體工廠方面仍在大力投資，但他們今年前三季度的投資，其實不及去年同期。去年前三
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IT之家11月15日消息，三星 SDI 正在推動與兩家全球汽車制造商分別在美國建立合資電動汽車電池廠。這兩個合資項目的總成本估計為 80 億美元，其中三星 SDI 預計將投資 40 億美元。有分析認為，三星集團的這一大規模投資計劃表明，三星集團對電動汽車電池事業的保守態度正在發生變化。他們計劃建設一家年產能 50GWh 的工廠，從而滿足為 67 萬輛續航 500 公里的電動汽車提供動力電池的需求。為此，三星 SDI 和通用汽車將各自投資約 20 億美元。三星 SDI 的鋰電池IT之家了解到，通用汽車此前已
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據報道，隨著智能手機市場的持續下滑，全球第一大智能手機廠商三星計劃大幅調降明年智能手機出貨量的預期，內部規劃其明年智能手機生產目標將落在2.7億部，雖然與今年調整后的目標2.6億略有增長，但是相比之前的預期的2.9億部則減少了2000萬部，與今年的原本出貨目標相比則減少了3000萬部。其中，高端S系列旗艦機型產量維持與今年相當，砍單機型主要是原本為銷售主力的A系列與M系列中低端機型，聯發科、大立光、雙鴻、晶技等供應鏈恐承壓。根據披露財報，三星第三季度營業利潤為10.85萬億韓元（約合人民幣550億元），同
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經歷生產計劃推遲的LG顯示經過技術補充程序后，已經獲得了蘋果的最終批準，在上月底就已開始供應iPhone 14 Pro Max所需的LTPO OLED面板，由三星顯示壟斷的iPhone Pro系列面板供應有望重新變為多方供應。
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IT之家 11 月 9 日消息，根據最新的報告，三星電子在全球 DRAM 市場的份額已跌至八年來的最低點。據 Eugene Investment & Securities 11 月 8 日發布的報告，第三季度全球 DRAM 市場銷售額為 179.73 億美元（當前約 1301.25 億元人民幣），較第二季度的 254.27 億美元下降 29.3%。三星電子的 DRAM 銷售額從第二季度的 111.21 億美元下降到第三季度的 73.71 億美元（當前約 533.66 億元人民幣
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作為全球化的半導體企業，正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內存技術日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產品與技術執行副總裁SungHoi
Hu表示："市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數的增加，三星采用3D縮放（3
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據業內消息，近期三星電子宣布已經開始大規模量產236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費級SSD的傳輸速度達到直接越級的12GBps。三星電子表示，第八代V-NAND閃存會提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細則比如芯片的大小和實際密度等數據并沒有做詳細介紹，但是三星電子表示其擁有業界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
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據外媒報道，三星Galaxy S23系列手機將于2023年2月的首周正式推出。雖然三星通常在每年的2月底推出其名下的Galaxy S系列手機。但在今年推出Galaxy S22系列手機時，卻提前了幾周發布。因此S23系列或許也會跟今年的S22系列一樣，在2月的首周推出。Galaxy S23或全系標配驍龍8 Gen 2據消息人士最新透露，與此前曝光的消息基本一致，三星將在其即將推出的Galaxy S23系列旗艦將全系標配高通驍龍8 Gen 2處理器。高通公司首席財務官的一份文件中，相關人士表示Galaxy S
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IT之家 11 月 7 日消息，據 BusinessKorea，隨著全球對電動汽車用高性能半導體的需求的迅速增加，三星電子和 SK 海力士已逐漸將目光投向了汽車半導體領域。IT之家了解到，這兩家公司雖然在世界存儲器半導體市場上占據了第一和第二的位置，但在汽車半導體市場上并沒有太大的影響力。Strategy Analytics 數據顯示，以 2019 年的銷售額為標準，韓國在全球汽車半導體市場的占有率僅為 2.3%。在油車領域，車用半導體價格普遍較低，因此收益性較低，而且油車更換周期也普遍更長，可
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IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發布任何實際產品，但三星電子現宣布已經開始大規模生產其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業界最高的比特密度。三星聲稱，與現有相同容量的閃存芯片相比，
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加利福尼亞州山景城2022年11月4日 /美通社/ -- 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，在雙方的長期合作中，三星晶圓廠（以下簡稱"三星"）已經通過新思科技數字和定制設計工具和流程實現了多次成功的測試流片，從而更好地推動三星的3納米全環繞柵極（GAA）技術被采用于對功耗、性能和面積（PPA）要求極高的應用中。此外，新思科技還獲得了三星的"最先進工藝"認證。與三星SF5E工藝相比，采用三星晶圓廠SF3技術的共同客戶將實現功
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俄羅斯和烏克蘭是氖、氬、氪、氙等半導體原料氣體供應大國，其中氖氣由烏克蘭供應全球近七成產量，而俄羅斯惰性氣體供應量占全球供應總量的30%。隨著俄烏沖突爆發后，全球氖氣、氙氣等產量大減，全球芯片市場的供應短缺問題加劇。為降低對進口產品的依賴，韓國存儲器大廠三星和SK海力士都表示將大幅增加韓國本土生產的氣體。據韓國經濟新聞報道，近日，三星表示，公司將與浦項鋼鐵（POSCO）一起推進半導體核心材料氙氣的本土生產，目前該材料全部依賴進口。目前，大多數韓國芯片制造商和微電子設備制造商依賴進口氣體，這些氣體是生產3D
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據外媒報道，三星電子即將在國際電子器件會議（IEDM）上報告其在新一代非易失性存儲器件領域的最新研究進展。會議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實現了磁性隧道結堆疊的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)制造，據稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。該團隊采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結擴展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國際電子器件會議上就此進行報告。論文中提到，該團隊生產了一個獨立的存儲器，其寫入能量要求為每比特25pJ
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